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IPB017N10N5LF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 313KW 20V 4.1V 195nC@ 10V 1个N沟道 100V 1.7mΩ@ 10V 256A 650pF@ 50V TO-263 贴片安装 10mm*925cm*4.4mm
供应商型号: 26M-IPB017N10N5LF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB017N10N5LF

IPB017N10N5LF概述

    IPB017N10N5LF MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    IPB017N10N5LF 是一款 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 OptiMOSTM 5 系列线性 FET,具有 100V 的电压等级。
    主要功能:
    该器件非常适合用于热插拔和 E-FUSE 应用。它具备极低的导通电阻(RDS(on))和宽广的安全工作区域(SOA),使得它在电源管理和电池管理等高功率应用中表现出色。
    应用领域:
    适用于数据中心、通信基础设施、工业自动化、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 单位 | 值 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | V | 100 |
    | 最大漏源导通电阻(RDS(on)) | mΩ | 1.7 |
    | 持续漏极电流(ID) | A | 256 |
    | 脉冲漏极电流(ID,pulse) | A | 1024 |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | mJ | 979 |
    | 最大工作温度(Tj, Tstg) | °C | -55 ~ 150 |

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 非常低的导通电阻,仅为 1.7 mΩ。
    - 宽广的安全工作区域(SOA),提供更好的稳定性和可靠性。
    - 100% 雪崩测试确保长期可靠性能。
    - 符合 Pb-free 和 RoHS 标准,适合无铅焊接工艺。
    - 无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准。
    优势:
    - 优越的热稳定性,在各种工作条件下都能保持稳定性能。
    - 高度的抗浪涌电流能力,确保在短路或过载情况下也能正常工作。
    - 高可靠性和耐久性,广泛应用于高功率和高可靠性需求的应用场景。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 热插拔和 E-FUSE 应用:由于其低导通电阻和宽广的安全工作区域,IPB017N10N5LF 可以有效降低系统功耗并提高效率。
    - 电源管理系统:用于直流到直流转换器和开关电源中,实现高效能转换。
    - 汽车电子:在高电压和高温环境下仍能保持稳定运行。
    使用建议:
    - 在高电流应用中,需要注意热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 使用时应遵循厂商提供的应用指南,确保正确的连接和使用方式。
    - 对于高频应用,需注意寄生电容的影响,选择合适的栅极驱动电路。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品可与其他标准 D²-PAK 7-pin 封装的元器件互换使用。
    - 在 PCB 设计时,应考虑热管理,以充分利用其宽广的工作温度范围。
    支持:
    - 厂商提供详尽的技术文档和应用指南。
    - 提供技术支持热线和邮件咨询,帮助解决客户在应用中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查栅极驱动电压是否正确设置,确认是否有足够的栅极驱动电流。 |
    | 热失控 | 加强散热设计,确保良好的热传递路径,增加散热片。 |
    | 开关损耗较大 | 优化驱动电路,减少开关过程中的瞬态电流。 |
    | 噪声干扰 | 屏蔽栅极引脚,避免外部噪声干扰,选用合适的栅极电阻。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    IPB017N10N5LF MOSFET 具有非常低的导通电阻和宽广的安全工作区域,是一款高性能的高功率应用器件。其优秀的电气特性和可靠性使其成为高功率应用的理想选择。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐在高功率应用中使用此器件。其卓越的性能和可靠性将为系统带来显著的优势。

IPB017N10N5LF参数

参数
最大功率耗散 313KW
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 650pF@ 50V
Id-连续漏极电流 256A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.1V
栅极电荷 195nC@ 10V
长*宽*高 10mm*925cm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

IPB017N10N5LF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB017N10N5LF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N10N5LF IPB017N10N5LF数据手册

IPB017N10N5LF封装设计

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50+ ¥ 24.3243
100+ ¥ 22.7848
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