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IPB64N25S320ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 IPB64N25S3-20系列, Vds=250 V, 64 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPB64N25S320ATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB64N25S320ATMA1

IPB64N25S320ATMA1概述

    IPB64N25S3-20 OptiMOS®-T Power Transistor

    1. 产品简介


    IPB64N25S3-20 是一款高性能的N沟道增强模式场效应晶体管(MOSFET),专为各种高功率应用而设计。这款晶体管采用了OptiMOS®-T技术,提供了出色的电气特性和稳定性。它的主要功能包括高电流处理能力、快速开关速度和卓越的热管理性能。该产品广泛应用于汽车电子、工业控制、电源转换及通信基础设施等领域。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 漏极连续电流 \(ID\): 25°C 时为 64A;100°C 时为 46A
    - 脉冲漏极电流 \(I{D,pulse}\): 25°C 时为 256A
    - 击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): \(V{DS}=250V\),\(ID=1mA\) 时为 250V
    - 零栅源电压漏极电流 \(I{DSS}\): 250V 时为 0.1µA 至 1µA
    - 栅极泄漏电流 \(I{GSS}\): \(V{GS}=20V\),\(V{DS}=0V\) 时为 1nA 至 100nA
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\): 10V 时为 17.5mΩ 至 20mΩ
    - 极限温度范围:工作温度 \(Tj\) 为 -55°C 至 +175°C,存储温度 \(T{stg}\) 为 -55°C 至 +175°C
    - 动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 5240pF 至 7000pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 2900pF 至 3900pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 85pF 至 170pF
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\): 18ns
    - 关闭延迟时间 \(t{d(off)}\): 45ns
    - 门电荷 \(Qg\): 67nC 至 89nC
    - 封装与热特性
    - 封装类型: PG-TO263-3-2
    - 热阻 \(R{thJC}\): 0.5K/W
    - 热阻 \(R{thJA}\): 62K/W(最小散热面积为 6cm²)


    3. 产品特点和优势


    - 卓越的电气性能: 击穿电压高达 250V,导通电阻低至 17.5mΩ 至 20mΩ,在高电流条件下表现出色。
    - 高可靠性: 符合 AEC-Q101 标准,确保在汽车电子等严苛环境下稳定运行。
    - 快速开关: 极短的开启和关闭时间,提高了电路的整体效率。
    - 热管理能力强: 低热阻设计,有助于热量的有效散发,提升长期工作稳定性。
    - 绿色环保: RoHS 合规,无铅,适合环保要求严格的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 电动汽车充电系统: 利用其高电流处理能力和高可靠性,适用于车载充电器和充电桩。
    - 工业自动化: 作为逆变器和电机控制器的关键组件,保证系统的高效运行。
    - 电源转换: 用于各类直流-直流转换器,提供高效的能量转换。
    使用建议
    - 散热管理: 由于其较高的热阻,需要合理的散热措施,如散热片或散热风扇,以保证最佳工作性能。
    - 并联使用: 在高电流应用中,可以考虑将多个 IPB64N25S3-20 并联使用,以分担电流负荷。
    - 保护电路设计: 配备适当的保护电路(如过压保护、过流保护),以确保安全运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与市场上常见的 PCB 和焊接工艺兼容,便于集成到现有系统中。
    - 技术支持: Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和在线支持,帮助客户解决设计过程中遇到的问题。
    - 售后服务: 提供长期的产品保修服务,确保用户安心使用。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 漏极电流超出额定值导致损坏
    - 解决方案: 使用外部保护电路限制最大电流,或者选择更大额定电流的产品。
    - 问题: 工作温度过高导致热失控
    - 解决方案: 加强散热措施,使用更大的散热器或增加冷却装置。
    - 问题: 开关频率高导致过热
    - 解决方案: 适当降低开关频率,或者选择更高效的 MOSFET 产品。

    7. 总结和推荐


    总体评价
    IPB64N25S3-20 OptiMOS®-T 功率晶体管凭借其出色的电气性能、高可靠性和灵活的适用性,成为各种高功率应用的理想选择。它在恶劣环境下依然能够保持优异的表现,特别是在电动汽车、工业自动化和电源转换等领域具有显著的优势。
    推荐使用
    我们强烈推荐使用 IPB64N25S3-20 OptiMOS®-T 功率晶体管,尤其适用于那些对可靠性要求高且环境条件严苛的应用场合。其卓越的性能和广泛的应用范围使其在市场上具备较强的竞争力。

IPB64N25S320ATMA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 270µA
Vds-漏源极击穿电压 250V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 300W(Tc)
配置 独立式
Id-连续漏极电流 64A
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 64A,10V
通道数量 1
栅极电荷 89nC@ 10 V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPB64N25S320ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB64N25S320ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB64N25S320ATMA1 IPB64N25S320ATMA1数据手册

IPB64N25S320ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 46.1173
250+ ¥ 44.7323
500+ ¥ 43.3921
1000+ ¥ 26.1082
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