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IPW65R190C7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 72W(Tc) 30V 4V@ 290µA 23nC@ 10 V 1个N沟道 650V 190mΩ@ 5.7A,10V 13A 1.15nF@400V TO-247 通孔安装 16.13mm*5.21mm*21.1mm
供应商型号: 726-IPW65R190C7
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW65R190C7

IPW65R190C7概述


    产品简介


    CoolMOS™ C7 IPW65R190C7
    CoolMOS™ C7 系列是一种高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用超结(Super Junction, SJ)原理设计,由英飞凌科技公司开发。这款MOSFET广泛应用于功率管理和多市场领域,包括计算机、服务器、电信、不间断电源(UPS)及太阳能等应用。该系列特别适合用于功率因数校正(PFC)和硬开关脉宽调制(PWM)阶段,能够实现高效率、高频和高功率密度的设计。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):最大值 700V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V 静态;±30V 动态
    - 连续漏极电流 (ID):最大值 13A (TC=25°C),8A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):最大值 49A (TC=25°C)
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 (RthJC):1.73°C/W
    - 结至环境热阻 (RthJA):62°C/W
    - 电学特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值 0.190Ω (VGS=10V, ID=5.7A)
    - 栅电荷 (Qg):典型值 23nC (VDD=400V, ID=5.7A)
    - 输出电容 (Coss):17pF (VGS=0V, VDS=400V)

    产品特点和优势


    - 增强的MOSFET dv/dt 耐受力
    - 出色的效率,低栅电荷和反向恢复电荷
    - 易于使用和驱动
    - 无铅电镀和无卤素模塑化合物
    - 工业级认证(符合JEDEC J-STD020和JESD22标准)
    这些特点使其能够提高系统效率,支持更高的频率和功率密度,降低散热需求,提升系统可靠性。

    应用案例和使用建议


    CoolMOS™ C7 IPW65R190C7 MOSFET 在多种应用场景中表现出色。例如,在计算机和服务器的电源设计中,它能够提高功率因数校正阶段的效率。此外,在太阳能逆变器中,它的高效转换特性有助于减少能量损失。
    使用建议:
    - 在并联使用MOSFET时,推荐使用铁氧体磁珠或独立的上下桥结构以保证稳定运行。
    - 遵循厂商推荐的焊接温度(260°C,10秒)以确保焊接质量。

    兼容性和支持


    CoolMOS™ C7 IPW65R190C7 与市面上常见的电气设备和电路板具有良好的兼容性。英飞凌科技提供了详细的文档和仿真模型以支持开发和调试过程,包括相关的网页链接(见附录A)。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过热?
    - 解决方案: 使用合适的散热器和优化电路设计以控制温升。确保系统在最大允许温度范围内工作。

    - 问题2:如何避免振铃效应?
    - 解决方案: 使用适当的栅极电阻来调节开关速度,并考虑使用缓冲电路来吸收开关瞬态电压。

    总结和推荐


    CoolMOS™ C7 IPW65R190C7 MOSFET 是一款在工业应用中表现出色的高性能器件。其卓越的热管理和高效的电性能使其成为功率转换应用的理想选择。推荐在需要高效率、高可靠性的应用中使用此产品。英飞凌科技提供的全面支持文档和工具使得设计和部署变得更加便捷。

IPW65R190C7参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 5.7A,10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 72W(Tc)
通道数量 1
栅极电荷 23nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 290µA
Id-连续漏极电流 13A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.15nF@400V
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.1mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPW65R190C7厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW65R190C7数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R190C7 IPW65R190C7数据手册

IPW65R190C7封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 4.4045 ¥ 37.218
10+ $ 3.102 ¥ 26.2119
25+ $ 2.75 ¥ 23.2375
100+ $ 2.3544 ¥ 19.8947
240+ $ 2.16 ¥ 18.252
480+ $ 2.0304 ¥ 17.1569
1200+ $ 1.8165 ¥ 15.3494
2640+ $ 1.764 ¥ 14.9058
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