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IRLHM620TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=20 V, 40 A, PQFN封装, 表面贴装
供应商型号: IRLHM620TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 4000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLHM620TRPBF

IRLHM620TRPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是一种高效的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于电池驱动的直流电机逆变器和二次侧同步整流。该产品采用了PQFN 3.3 x 3.3 mm的小型封装,具有低导通电阻、低热阻和高密度功率输出的特点,适用于多种高性能应用。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大栅源电压(VGS):±12V
    - 最大漏源电压(VDS):20V
    - 最大连续漏电流(@TA = 25°C):26A
    - 最大脉冲漏电流:160A
    - 最大功率耗散(@TA = 25°C):2.7W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 性能参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):最大值为2.5mΩ (@VGS = 4.5V)
    - 漏电流(IDSS):最大值为1μA (VDS = 16V, VGS = 0V)
    - 前向转导率(gfs):58S
    - 总栅极电荷(Qg):典型值为52nC

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:小于2.5mΩ,显著降低传导损耗。
    - 低热阻:至印刷电路板(PCB)的热阻小于3.4°C/W,有助于更好的散热。
    - 紧凑设计:厚度小于1.0mm,实现更高的功率密度。
    - 行业标准引脚布局:提供多供应商兼容性。
    - 环保材料:符合RoHS标准,不含铅、溴化物和卤素。
    - 工业资格认证:达到MSL1等级,提升可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    HEXFET® Power MOSFET 主要应用于电池驱动的直流电机逆变器和二次侧同步整流。具体应用场景如下:
    - 电池驱动的直流电机逆变器:HEXFET® MOSFET 在电池驱动系统中表现出色,能够有效控制电机的启动和运行。
    - 二次侧同步整流:该产品可作为高效的同步整流器,提高电源转换效率。
    使用建议:
    - 热管理:考虑到低热阻设计,应确保良好的散热环境以延长产品寿命。
    - 驱动电路:选择合适的栅极电阻和驱动电路,优化开关速度,减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有表面贴装技术兼容,便于制造。
    - 支持和维护:国际整流器公司提供了详尽的技术支持文档和指南,如AN-1136(电路板安装指南)和AN-1154(封装检查技术指南)。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:导通电阻异常升高。
    - 解决办法:检查栅极电压是否正确设置,确认驱动电路是否匹配。
    - 问题2:散热不良导致过温保护。
    - 解决办法:增加散热片或优化电路板布局,确保良好的空气流动。

    7. 总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET 以其低导通电阻、高效散热和紧凑设计,在电池驱动系统和同步整流应用中表现优异。其多供应商兼容性和环保材料使其在市场上具备较强的竞争力。我们强烈推荐在相关项目中使用该产品,以获得最佳性能和可靠性。

IRLHM620TRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.62nF@10V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@ 20A,4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.1V@ 50µA
配置 独立式quaddraintriplesource
Id-连续漏极电流 26A,40A
最大功率耗散 2.7W(Ta),37W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 78nC@ 4.5 V
通道数量 1
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*900μm
通用封装 PQFN-8,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRLHM620TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLHM620TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLHM620TRPBF IRLHM620TRPBF数据手册

IRLHM620TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ ¥ 1.695
8000+ ¥ 1.6001
16000+ ¥ 1.573
32000+ ¥ 1.5458
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