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IRFH7934TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.1W(Ta) 20V 2.35V@ 50µA 30nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 3.5mΩ@ 24A,10V 24A,76A 3.1nF@15V QFN 贴片安装 6mm*5mm*830μm
供应商型号: CY-IRFH7934TRPBF
供应商:
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFH7934TRPBF

IRFH7934TRPBF概述

    HEXFET Power MOSFET: IRFH7934PBF Technical Overview

    1. 产品简介


    HEXFET Power MOSFET(如IRFH7934PBF)是一种高效且可靠的功率场效应晶体管,广泛应用于同步降压转换器和网络系统中的隔离直流到直流转换器中,尤其适用于笔记本电脑处理器电源管理。这类MOSFET因其低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和良好的抗雪崩能力而备受青睐。

    2. 技术参数


    以下为该器件的关键技术参数:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏源电压 (VDS) | V | 30 | - | - |
    | 漏源饱和电流 (ID) | A | 190 @ TA=25°C | - | 24 @ TC=25°C |
    | 栅源电压 (VGS) | V | ±20 | - | - |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | A | - | - | 3.9 |
    | 额定功率 (PD) | W | - | 30 @ TA=25°C | 19 @ TA=70°C |
    | 热阻 (RθJA) | °C/W | - | 40 | - |
    此外,该器件还具有非常低的静态导通电阻(RDS(on)),在10V栅源电压下典型值为2.9mΩ,最大值为3.5mΩ。它的栅极电荷(Qg)也在20至30nC之间,使其适合于高频开关应用。

    3. 产品特点和优势


    - 低RDS(on):在4.5V栅源电压下,RDS(on)可低至2.9mΩ,这有助于降低整体功耗并提高能效。
    - 低栅极电荷(Qg):Qg值较低,降低了驱动电路的负担,提高了开关速度。
    - 全特性雪崩测试:完全测试了雪崩电压和电流特性,确保器件的可靠性和耐用性。
    - 100%测试RG:所有产品都经过栅极电阻(RG)测试,确保出厂质量。
    - 无铅,符合RoHS标准:完全符合环保要求,无需担心有毒物质暴露。
    - 低热阻:热阻较低(RθJA=40°C/W),可以有效散热,延长器件寿命。
    - 可靠的焊接性能:具有较大的源极引脚,更易于焊接,减少了虚焊的可能性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 同步降压转换器:如用于笔记本电脑处理器电源,这种MOSFET能够高效稳定地管理电压。
    - 网络系统中的隔离直流到直流转换器:例如服务器、路由器等网络设备中的电源模块,确保系统稳定运行。
    使用建议:
    1. 选择合适的栅极电阻:在设计时要根据具体应用选择合适的栅极电阻(RG),以优化开关性能。
    2. 合理散热设计:由于热阻较高,需要合理布局PCB,增加散热片或者利用散热膏来提高散热效率。
    3. 关注脉冲电流限制:长时间工作时注意不要超过器件的最大脉冲电流限制,以免导致器件损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 与电子元器件的兼容性:HEXFET MOSFET具有广泛的适用性,与其他电子元器件兼容性良好。
    - 厂商提供的支持和维护信息:国际整流器公司(International Rectifier)提供了详尽的技术文档和在线技术支持,帮助客户解决任何使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 减少开关频率或增加散热措施 |
    | 电压不稳 | 确保驱动电压稳定,检查外围电路连接是否正确 |

    7. 总结和推荐


    IRFH7934PBF是一款高性能、高可靠性的HEXFET Power MOSFET。凭借其低导通电阻、低栅极电荷及全特性雪崩测试,它非常适合用于高性能的电力管理和转换应用。无论是笔记本电脑处理器还是网络系统中的电源模块,IRFH7934PBF都能提供卓越的性能和稳定性。对于需要高效、可靠的电力管理解决方案的用户,我们强烈推荐这款产品。

IRFH7934TRPBF参数

参数
栅极电荷 30nC@ 4.5 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 50µA
最大功率耗散 3.1W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5mΩ@ 24A,10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.1nF@15V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 24A,76A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 6mm*5mm*830μm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

IRFH7934TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFH7934TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7934TRPBF IRFH7934TRPBF数据手册

IRFH7934TRPBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5175 ¥ 4.4533
300+ $ 0.5128 ¥ 4.4131
500+ $ 0.508 ¥ 4.373
1000+ $ 0.4938 ¥ 4.1724
5000+ $ 0.4938 ¥ 4.1724
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