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IPB60R165CP

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 192W 20V 2.5V 39nC@ 10V 1个N沟道 650V 165mΩ@ 10V 21A 2nF@ 100V TO-263 贴片安装,黏合安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: 726-IPB60R165CP
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB60R165CP

IPB60R165CP概述

    IPB60R165CP CoolMOS® Power Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPB60R165CP 是一款由 Infineon Technologies 设计的 CoolMOS® 功率晶体管,专为硬开关拓扑结构而设计。这种晶体管广泛应用于服务器和通信领域,具有高可靠性、低功耗和高性能的特点。

    2. 技术参数


    以下是 IPB60R165CP 的关键技术参数:
    - 连续漏极电流(ID):当 TC=25°C 时,最大值为 192 A;当 TC=100°C 时,最大值为 21 A。
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):当 TC=25°C 时,最大值为 13 A。
    - 雪崩能量(单脉冲)(EAS):当 ID=7.9 A,VDD=50 V 时,最大值为 522 mJ。
    - 雪崩能量(重复脉冲)(EAR):当 ID=7.9 A,VDD=50 V 时,最大值为 61 mJ。
    - MOSFET dv/dt 耐受度:最大值为 21 V/ns。
    - 门源电压(VGS):静态值为 2.5 V 到 3.5 V。
    - 功率耗散(Ptot):当 TC=25°C 时,最大值为 13 W。
    - 热阻(结-壳)(RthJC):最大值为 0.65 K/W。
    - 热阻(结-环境)(RthJA):不同安装条件下分别为 62 K/W 和 35 K/W。
    - MOSFET 击穿电压(V(BR)DSS):在 VDS=0...480 V 时,最大值为 600 V。
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):在 VDS=600 V,VGS=0 V,Tj=25°C 时,最大值为 1 μA。
    - 导通状态电阻(RDS(on)):在 VGS=10 V,ID=12 A,Tj=25°C 时,最大值为 0.165 Ω。
    - 总栅极电荷(Qg):典型值为 39 nC,最大值为 52 nC。
    - 反向恢复时间(trr):典型值为 390 ns。
    - 反向恢复电荷(Qrr):典型值为 7.5 μC。

    3. 产品特点和优势


    IPB60R165CP 的主要特点是:
    - 最低的 RONxQg(导通电阻与栅极电荷乘积)。
    - 极低的栅极电荷。
    - 高峰值电流能力。
    - 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。
    - 无铅镀层,符合 RoHS 标准。
    这些特性使其特别适合用于服务器和通信领域的硬开关拓扑结构,具备高可靠性和高效能。

    4. 应用案例和使用建议


    IPB60R165CP 在服务器和通信设备中广泛应用,可以用于各种开关电源、逆变器和其他电力转换装置中。以下是一些使用建议:
    - 优化散热设计:由于其较高的热阻,需要良好的散热设计来确保长期稳定运行。
    - 考虑栅极驱动电路:需要选择合适的栅极驱动器以降低开关损耗。
    - 注意反向恢复特性:在设计电路时需要考虑反向恢复时间和电荷的影响。

    5. 兼容性和支持


    IPB60R165CP 支持与多种标准接口兼容,适用于不同的板级布局和冷却系统。Infineon Technologies 提供详尽的技术支持和售后服务,用户可通过官方网站联系当地办事处获取更多信息和支持。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题:过热导致失效
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或外部风扇。
    - 问题:栅极驱动不稳定
    - 解决方案:确保使用合适的栅极驱动器,并遵循推荐的设计指南。
    - 问题:反向恢复电荷过高
    - 解决方案:选择合适的反向恢复二极管,并优化电路设计。

    7. 总结和推荐


    总体而言,IPB60R165CP 是一款高性能、高可靠性的 CoolMOS® 功率晶体管,非常适合服务器和通信领域的应用。其独特的功能和优势使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐使用此产品,尤其是在需要高性能和高可靠性的电力转换应用中。
    Infineon Technologies AG 提供的全面技术支持和丰富的设计资源,使得用户可以更加轻松地集成和使用这款晶体管。

IPB60R165CP参数

参数
最大功率耗散 192W
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 39nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 165mΩ@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2nF@ 100V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 21A
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IPB60R165CP厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB60R165CP数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R165CP IPB60R165CP数据手册

IPB60R165CP封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 4.9565 ¥ 41.8824
10+ $ 3.553 ¥ 30.0229
25+ $ 3.157 ¥ 26.6767
100+ $ 2.7 ¥ 22.815
250+ $ 2.484 ¥ 20.9898
500+ $ 2.3436 ¥ 19.8034
1000+ $ 2.058 ¥ 17.3901
2000+ $ 2.037 ¥ 17.2127
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