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IPB017N08N5ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS™ 5系列, Vds=80 V, 177 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-IPB017N08N5ATMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB017N08N5ATMA1

IPB017N08N5ATMA1概述

    IPB017N08N5 MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IPB017N08N5 是一款由Infineon Technologies生产的 OptiMOS™5 Power Transistor,额定电压为80V。作为一款 N沟道功率MOSFET,它主要用于高频开关电路和同步整流应用。这种器件因其非常低的导通电阻(RDS(on))和优秀的栅极电荷乘以RDS(on)的产品(FOM),在高效率应用中表现出色。此外,它完全经过雪崩测试,确保在极端条件下具有稳定可靠的性能。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | V | 80 | - | - |
    | 栅源漏电流 | IDSS | μA | 0.1 | 1 | 100 |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | nA | - | 1 | 100 |
    | 导通电阻 | RDS(on) | mΩ | 1.5 | 1.7 | 2.1 |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | V | 2.2 | 3 | 3.8 |
    | 持续漏电流 | ID | A | - | 136 | 177 |
    | 脉冲漏电流 | ID,pulse | A | - | - | 708 |
    | 击穿能量 | EAS | mJ | - | - | 1228 |

    3. 产品特点和优势


    IPB017N08N5 的核心优势在于其极低的导通电阻(典型值1.7 mΩ)和优秀的栅极电荷乘以RDS(on)的性能指标。这些特点使得它特别适合于高频率开关和同步整流的应用,能够在减少能量损失的同时提升整体能效。此外,它还具备优秀的散热能力和广泛的温度适应性(-55°C到+175°C),使其能够适用于各种苛刻的工作环境。

    4. 应用案例和使用建议


    IPB017N08N5 在高频逆变器、电机驱动、电源转换模块等应用中表现优异。例如,在一个高频逆变器设计中,可以通过配置适当的栅极电阻来优化其开关特性,从而提高系统效率。此外,对于需要紧凑设计的应用,可以利用其紧凑的封装形式,降低系统的体积和重量。

    5. 兼容性和支持


    该产品符合环保标准,无铅且RoHS兼容,同时还满足卤素自由的要求(IEC 61249-2-21)。关于配套组件的支持,建议用户在设计电路时考虑与其其他功率元件(如栅极驱动器)的兼容性,确保整个系统的可靠运行。同时,Infineon提供详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户解决问题并优化其设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:器件在高频开关下发热严重。
    解决办法: 使用合适的散热器并合理布局电路板以增强散热效果,或者调整栅极驱动信号,降低开关损耗。
    - 问题:启动时出现不稳定现象。
    解决办法: 确保栅极电阻适中,避免过高的栅极电压导致瞬间的大电流冲击。
    - 问题:温度影响明显。
    解决办法: 根据实际工作环境选择合适的散热方案,确保工作温度不超过允许范围。

    7. 总结和推荐


    总体来看,IPB017N08N5 是一款性能卓越的功率MOSFET,以其出色的导通特性和广泛的应用范围而受到青睐。无论是针对工业控制还是消费电子产品,这款器件都能显著提升系统的效率和可靠性。鉴于其高效能表现和丰富的支持资源,我们强烈推荐该产品用于任何需要高性能功率控制的应用场合。

IPB017N08N5ATMA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V@ 280µA
通道数量 1
栅极电荷 223nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 120A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 16.9nF@40V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.7mΩ@ 100A,10V
配置 独立式
最大功率耗散 375W(Tc)
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPB017N08N5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB017N08N5ATMA1数据手册

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IPB017N08N5ATMA1封装设计

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