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IPB80P03P4L-04

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 137W 5V 125nC@ 10V 1个P沟道 30V 4.1mΩ@ 10V 80A 8.67nF@ 25V TO-263 支架安装,贴片安装 10mm*925cm*4.5mm
供应商型号: Q-IPB80P03P4L-04
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80P03P4L-04

IPB80P03P4L-04概述


    产品简介


    IPB80P03P4L-04 是一款采用Infineon Technologies公司的OptiMOS®-P2技术制造的P沟道逻辑电平增强模式功率晶体管。这些晶体管适用于多种应用,包括电池反接保护(reverse battery protection)等领域。IPB80P03P4L-04系列提供三种封装形式:PG-TO263-3-2、PG-TO262-3-1和PG-TO220-3-1。

    技术参数


    - 最大连续漏极电流(Tc=25°C,VGS=-10V): -80A
    - 脉冲漏极电流(Tc=25°C): -320A
    - 雪崩能量(单脉冲,ID=-40A): 410mJ
    - 雪崩电流(单脉冲): -80A
    - 栅源电压(VGS): +5/-16V
    - 功率耗散(TC=25°C): 137W
    - 工作和存储温度范围: -55...+175°C
    - 结壳热阻(RthJC): 1.1K/W
    - 结到环境热阻(RthJA): 62K/W(带SMD装置)
    - 输出电容(Coss): 2350-3050pF
    - 零栅电压漏极电流(IDSS): -0.05 至 -1μA
    - 击穿电压(V(BR)DSS): -30V
    - 导通电阻(RDS(on)): 3.4 至 4.1mΩ(VGS=-10V,ID=-80A)

    产品特点和优势


    IPB80P03P4L-04具有以下显著优势:
    - 高耐温能力:能够在高达175°C的工作温度下稳定运行。
    - 卓越的电气性能:低导通电阻和大雪崩能量使其非常适合于高功率应用。
    - 环保材料:符合RoHS标准的绿色封装。
    - AEC认证:适用于汽车级应用,确保在极端环境下的可靠性。
    - 高可靠性:100%雪崩测试确保其在极端条件下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 反接电池保护:IPB80P03P4L-04常用于电池管理系统(BMS)中,防止逆向连接导致的设备损坏。
    - 使用建议:
    - 在选择合适的应用时,考虑电路的电流需求和温度范围。
    - 使用SMD版本可提高散热效率,特别是在空间受限的设计中。
    - 确保电路设计中包括适当的过压保护措施,以防止瞬态电压对器件造成损害。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPB80P03P4L-04可以与各种类型的电子设备和电路板设计兼容,特别是那些需要高性能P沟道MOSFET的应用。
    - 支持和服务:Infineon Technologies提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户了解和使用这款器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何处理过高的栅源电压?
    - 解决方案:确保VGS不超过额定值+5/-16V。可以通过适当增加栅极电阻来限制电压。

    - 问题:在高温环境下,器件的性能会受到什么影响?
    - 解决方案:IPB80P03P4L-04可以在高达175°C的工作温度下运行。为了确保最佳性能,应在设计时考虑到散热需求,使用足够的散热片或进行有效的PCB布局。

    总结和推荐


    IPB80P03P4L-04是一款在高功率、高温应用中表现出色的P沟道逻辑电平增强模式功率晶体管。其优秀的电气性能、高耐温能力和高可靠性使其成为许多工业和汽车应用的理想选择。强烈推荐给那些寻求高性能P沟道MOSFET的工程师和技术人员。

IPB80P03P4L-04参数

参数
最大功率耗散 137W
Vgs-栅源极电压 5V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 80A
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.67nF@ 25V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 125nC@ 10V
通道数量 1
长*宽*高 10mm*925cm*4.5mm
通用封装 TO-263
安装方式 支架安装,贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPB80P03P4L-04厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80P03P4L-04数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB80P03P4L-04 IPB80P03P4L-04数据手册

IPB80P03P4L-04封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 1.98 ¥ 16.4934
30000+ $ 1.782 ¥ 14.8441
50000+ $ 1.584 ¥ 13.1947
100000+ $ 1.485 ¥ 12.3701
库存: 10000
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