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BSS83PH6327XTSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 英飞凌 P沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=60 V, 330 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 26M-BSS83PH6327XTSA1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSS83PH6327XTSA1

BSS83PH6327XTSA1概述

    BSS 83 P N-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    BSS 83 P 是一款由 Infineon Technologies 生产的小信号 P 沟道增强型 MOSFET。它适用于各种小电流控制场合,具有逻辑电平门极驱动、雪崩击穿耐受能力等特点,非常适合用于开关电源、信号调理电路及低频放大器等应用领域。

    2. 技术参数


    - 主要规格:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):\(-60 V\)
    - 连续漏极电流 \( ID \):\(-0.33 A\)
    - 栅源电压 \( V{GS} \):\(\pm 20 V\)
    - 最大功率耗散 \( P{tot} \):\(0.36 W\)

    - 关键性能参数:
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):当 \( V{GS} = -4.5 V, ID = -0.27 A \) 时为 \( 2 \Omega \),当 \( V{GS} = -10 V, ID = -0.33 A \) 时为 \( 1.4 \Omega \)
    - 瞬态热阻抗 \( Z{thJC} \):典型值为 \( 150 K/W \)
    - 反向二极管的反向恢复时间 \( t{rr} \):\( 59.4 \) 到 \( 89 \) 纳秒

    - 工作环境:
    - 工作温度范围 \( Tj \):\(-55\) 到 \( +150 \) °C
    - 存储温度范围 \( T{stg} \):\(-55\) 到 \( +150 \) °C
    - IEC 防护等级:\( 55/150/56 \)

    3. 产品特点和优势


    - 逻辑电平门极驱动:使得门极可以直接与逻辑电路相连,简化电路设计。
    - 增强模式操作:使得该器件在零电压时呈高阻态,在栅极施加负电压时导通。
    - 雪崩击穿耐受能力:能够承受瞬态高压冲击,适合在恶劣环境中使用。
    - 符合 AEC-Q101 标准:满足汽车电子行业标准,可用于汽车电子应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:利用其较低的导通电阻特性,减少导通损耗,提高转换效率。
    - 信号调理电路:利用其较小的输入电容,降低信号延迟,提高响应速度。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需要考虑器件的工作环境温度,避免超出额定温度范围。
    - 在使用时应注意负载的峰值电流,避免超过器件的瞬态电流承受能力。
    - 对于高频应用,需要注意输出电容和反向转移电容的影响,以避免不必要的干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:由于该器件具有宽泛的工作温度范围,适用于多种应用场景。
    - 支持和服务:Infineon Technologies 提供详细的技术支持文档和售后保障,用户可通过其官方网站获取更多信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据应用要求和负载特性选择合适的栅极电阻,以保证足够的驱动能力和减小寄生振荡。

    - 问题:器件在高温环境下性能会下降吗?
    - 解决方案:虽然该器件具有较高的工作温度范围,但在高温环境下使用时仍需注意散热设计,以确保长期稳定运行。

    7. 总结和推荐


    总结:
    BSS 83 P 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具备优秀的雪崩击穿耐受能力和宽泛的工作温度范围。其较低的导通电阻和良好的动态特性使其在多种应用场景中表现出色。
    推荐:
    鉴于其优异的性能和可靠性,强烈推荐 BSS 83 P 用于需要小信号处理和低功耗控制的应用场合。无论是在消费电子还是工业控制领域,它都能提供卓越的表现和可靠性。

BSS83PH6327XTSA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 360mW(Ta)
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 330mA,10V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 80µA
Id-连续漏极电流 330mA
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 3.57nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 78pF@25V
FET类型 1个P沟道
长*宽*高 2.9mm(长度)*1.3mm(宽度)
通用封装 3000,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSS83PH6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSS83PH6327XTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1数据手册

BSS83PH6327XTSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 0.5221
100+ ¥ 0.4836
500+ ¥ 0.4444
1000+ ¥ 0.4272
3000+ ¥ 0.4011
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