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IRFS4127PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 375W(Tc) 20V 5V@ 250µA 150nC@ 10 V 1个N沟道 200V 22mΩ@ 44A,10V 72A 5.38nF@50V D2PAK 贴片安装
供应商型号: IRFS4127PBF-ND
供应商:
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFS4127PBF

IRFS4127PBF概述

    HEXFET® Power MOSFET

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET(高效HEXFET功率MOSFET)是一种先进的场效应晶体管,广泛应用于电源管理领域。它具备优异的耐受性、高效率以及广泛的适用性,适用于各种类型的开关模式电源系统(SMPS)、不间断电源(UPS)、高速电力开关以及其他需要硬开关和高频操作的电路。

    技术参数


    以下为该MOSFET的主要技术规格和性能参数:
    - 基本规格
    - 漏源电压 \( V{DSS} \):200V
    - 漏极连续电流 \( ID \):72A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \):300A
    - 最大耗散功率 \( PD \):300W(\( TC = 25^\circ C \))
    - 热阻抗
    - 结壳热阻 \( R{\theta JC} \):0.4°C/W
    - 结到环境热阻 \( R{\theta JA} \):40°C/W
    - 绝对最大额定值
    - 栅极-源极电压 \( V{GS} \):±20V
    - 峰值二极管恢复 \( dv/dt \):2.5V/ns
    - 工作结温 \( TJ \):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 \( T{STG} \):-55°C 至 +175°C
    - 电容特性
    - 输入电容 \( C{iss} \):5380pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):410pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):86pF
    - 动态特性
    - 总栅极电荷 \( Qg \):100nC 至 150nC
    - 导通延迟时间 \( t{d(on)} \):17ns
    - 关断延迟时间 \( t{d(off)} \):56ns
    - 雪崩特性
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \):250mJ(热限)
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \):375mJ

    产品特点和优势


    HEXFET® Power MOSFET具备以下几个独特的功能和优势:
    - 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性:确保其在恶劣环境下的可靠运行。
    - 完全表征的电容和雪崩SOA:确保产品的稳定性和可靠性。
    - 增强的体二极管dv/dt和di/dt能力:提供更好的性能和稳定性。
    - 无铅:符合环保要求,适用于各种应用场合。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® Power MOSFET被广泛应用于多个领域,如:
    - 高效率同步整流:在SMPS中用于提高整体效率。
    - 不间断电源:提供可靠的电力转换。
    - 高速电力开关:适合需要快速响应的应用场景。
    使用建议:
    - 确保正确的散热设计以避免过热。
    - 严格按照数据手册提供的条件进行操作,特别是对栅极驱动的要求。

    兼容性和支持


    该产品可与常见的PCB布局工具和焊接技术兼容。厂商提供了详细的应用指南和支持文档,以便用户更好地理解和使用产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方案:
    - 问题: 在高温环境下出现过热。
    - 解决办法: 改善散热设计,增加散热片或采用更有效的冷却方案。
    - 问题: 开关损耗较高。
    - 解决办法: 检查电路设计并优化栅极驱动,减少栅极充电时间。

    总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET以其优异的性能、耐用性和广泛应用领域,成为市场上一款极具竞争力的产品。其出色的电气特性和高可靠性使其适用于多种高要求的应用场景。强烈推荐在需要高性能、可靠性的电力管理和控制应用中使用该产品。

IRFS4127PBF参数

参数
最大功率耗散 375W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 200V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
栅极电荷 150nC@ 10 V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 72A
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 44A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.38nF@50V
FET类型 1个N沟道
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFS4127PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFS4127PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4127PBF IRFS4127PBF数据手册

IRFS4127PBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 6.5016 ¥ 54.9385
10+ $ 5.5879 ¥ 46.3099
100+ $ 4.5817 ¥ 37.971
500+ $ 3.71 ¥ 30.7469
1000+ $ 3.129 ¥ 25.9312
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