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IRFR4620TRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=200 V, 24 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 26M-IRFR4620TRLPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR4620TRLPBF

IRFR4620TRLPBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率 MOSFET) 是一种先进的功率晶体管,主要用于提高电源转换效率和系统可靠性。主要功能包括高效率同步整流、不间断电源(UPS)应用和高速功率开关。此外,它还适用于硬开关和高频电路。

    2. 技术参数


    以下是HEXFET Power MOSFET的关键技术规格:
    - 电气特性:
    - 最大漏源电压 \( V{DSS} \):200V
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):典型值 64mΩ,最大值 78mΩ
    - 持续漏极电流 \( ID \):24A(在25°C时)
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \):3.0V 至 5.0V
    - 绝对最大额定值:
    - 最大持续漏极电流 \( ID \):在100°C时为24A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \)
    - 最大功耗 \( PD \):在25°C时为100W
    - 峰值二极管恢复 \( dv/dt \):± 20V/ns
    - 热阻抗:
    - 结至外壳热阻 \( R{\theta JC} \):1.045°C/W
    - 结至环境热阻 \( R{\theta JA} \):50°C/W(PCB安装时)
    - 动态参数:
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \):13.4 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \):25.4 ns
    - 上升时间 \( tr \):22.4 ns
    - 下降时间 \( tf \):14.8 ns

    3. 产品特点和优势


    - 增强的栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐压:HEXFET Power MOSFET 设计具有更高的坚固性,能够承受更高的瞬态电压。
    - 全面表征的电容和雪崩安全工作区(SOA):确保在高压应用下的稳定性。
    - 增强的体二极管 \( dV/dt \) 和 \( dI/dt \) 能力:提升在高频开关条件下的性能。
    - 无铅材料:符合环保要求,减少对环境的影响。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高效同步整流(SMPS):用于服务器和通信设备的电源转换。
    - 不间断电源(UPS):提供稳定的电源供应。
    - 高速功率开关:适合工业自动化和可再生能源应用。
    使用建议:
    - 在设计时考虑散热措施,如增加散热片或使用大面积PCB以降低结温。
    - 注意不要超过最大允许的温度范围,以避免损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:HEXFET Power MOSFET 适用于各种通用电源模块和工业控制系统。
    - 支持:制造商提供了详细的安装指南和技术支持,可参阅应用笔记和官方网站。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题1:过高的漏极电流导致过热
    - 解决办法:检查负载条件并确保不超出最大允许电流,同时采用良好的散热措施。

    - 问题2:无法达到预期的开关速度
    - 解决办法:调整驱动器参数,例如门极电阻(\( RG \)),以获得更快的上升和下降时间。

    7. 总结和推荐


    HEXFET Power MOSFET 是一款高可靠性的功率器件,具有出色的性能和应用灵活性。其独特的耐压能力和高效率使其成为各种高功率应用的理想选择。建议在需要高性能和可靠性的应用中优先考虑使用。

IRFR4620TRLPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.71nF@50V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 78mΩ@ 15A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 24A
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 38nC@ 10 V
最大功率耗散 144W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 100µA
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFR4620TRLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR4620TRLPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF数据手册

IRFR4620TRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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50+ ¥ 3.8235
100+ ¥ 3.4667
500+ ¥ 3.2911
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