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IRLR3410TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 17 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 26M-IRLR3410TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR3410TRPBF

IRLR3410TRPBF概述

    IRLR/U3410PbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLR/U3410PbF 是一种先进的逻辑电平栅极驱动功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为各种电源管理应用而设计。其主要功能包括低静态导通电阻(RDS(on))、高速开关能力和高可靠性。这些特性使其广泛应用于电机控制、电源转换器、逆变器以及电池充电器等领域。

    技术参数


    - 基本参数:
    - VDSS(漏源电压):100V
    - RDS(on)(静态漏源导通电阻):0.105Ω
    - ID(连续漏电流):17A(TC = 25°C时);12A(TC = 100°C时)
    - IDM(脉冲漏电流):60A
    - PD(最大功耗):79W(TC = 25°C时)
    - 温度范围:
    - 工作结温范围(TJ):-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +175°C
    - 电气特性:
    - VGS(栅源电压):± 16V
    - EAS(单脉冲雪崩能量):150mJ
    - IAR(雪崩电流):9.0A
    - dv/dt(峰值二极管恢复率):5.0 V/ns
    - 热阻抗:
    - RθJC(结到壳体热阻):1.9°C/W
    - RθJA(结到环境热阻):50°C/W(PCB安装时);110°C/W

    产品特点和优势


    - 逻辑电平栅极驱动:允许使用标准CMOS电路进行驱动,简化设计和降低功耗。
    - 超低静态导通电阻:显著减少导通损耗,提高效率。
    - 表面贴装技术(SMT):便于自动化生产,提升可靠性。
    - 直插式引脚版本:适用于通过孔安装的应用场合。
    - 高级工艺技术:利用先进的制造工艺实现最优的性能表现。
    - 快速开关:适合高频应用,减少开关损耗。
    - 全面雪崩测试:提供极高的可靠性和稳定性。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 电机控制:利用其快速开关特性和低导通电阻来提高能效。
    - 电源转换器:适合作为开关元件,特别是在DC-DC转换器中。
    - 逆变器:用于光伏逆变器和其他电力转换系统中。
    - 电池充电器:提供高效的充电解决方案。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,以避免过热损坏。
    - 选择合适的驱动电路,确保栅极驱动信号稳定且幅度合适。
    - 在高频应用中,考虑寄生电感和电容的影响,以优化整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:支持表面贴装和直插式安装方式,兼容多种PCB设计。
    - 支持信息:制造商提供了详细的技术文档和应用笔记,用户可访问官方网站(www.irf.com)获取更多信息和支持服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作时温度过高
    - 解决方案:增加散热片,优化散热设计;确保工作环境温度在规定范围内。

    2. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:检查驱动电路是否正确连接;确认驱动信号波形符合要求;考虑使用更低的栅极电阻。

    3. 问题:漏电流大
    - 解决方案:检查封装是否完好无损;确保焊接质量良好;避免物理损伤导致的内部短路。

    总结和推荐


    IRLR/U3410PbF 是一款高效、可靠的功率 MOSFET,适用于多种工业和消费电子应用。其独特的逻辑电平驱动能力和超低导通电阻使其在市场上具有较高的竞争力。建议在需要高性能、低功耗应用的场景中使用,但需注意良好的散热管理和正确的驱动电路配置。

IRLR3410TRPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 16V
Id-连续漏极电流 17A
最大功率耗散 79W(Tc)
栅极电荷 34nC@ 5 V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 800pF@25V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 105mΩ@ 10A,10V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252,TO-252-2
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRLR3410TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR3410TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF数据手册

IRLR3410TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.8055
10+ ¥ 2.3192
50+ ¥ 2.1211
100+ ¥ 1.844
500+ ¥ 1.5207
1000+ ¥ 1.4091
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