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IPC100N04S5L1R5ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=16 V, 100 A, SuperSO8 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 2986463
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPC100N04S5L1R5ATMA1

IPC100N04S5L1R5ATMA1概述

    # IPC100N04S5L-1R5 OptiMOS™-5 Power-Transistor 技术手册

    产品简介


    IPC100N04S5L-1R5 是一种由 Infineon Technologies 生产的 OptiMOS™-5 功率 MOSFET,专门设计用于汽车应用。该产品属于 N 沟道增强模式逻辑电平 MOSFET,具有 AEC-Q101 资格认证,并符合 RoHS 规范。其封装形式为 PG-TDSON-8-34,标记为 5N04L1R5。此产品具备优异的电气特性和高可靠性,适用于多种工业和汽车电子领域。

    技术参数


    - 连续漏极电流 (ID):25°C时为100A(VGS=10V),100°C时仍为100A
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):25°C时最大值可达400A
    - 雪崩能量 (EAS):50A时为220mJ
    - 雪崩电流 (IAS):最大值可达100A
    - 栅源电压 (VGS):±16V
    - 总功率耗散 (Ptot):25°C时为115W
    - 结温及存储温度 (Tj, Tstg):-55°C至+175°C
    - 最大漏源击穿电压 (V(BR)DSS):40V
    - 栅阈电压 (VGS(th)):典型值1.6V,范围1.2V至2.0V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):40°C时为1µA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):16V时最大为100nA
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大值为1.5mΩ(VGS=4.5V,ID=50A)
    - 热阻 (RthJC, RthJA):结到壳为1.3K/W,结到环境为50K/W

    产品特点和优势


    IPC100N04S5L-1R5 具备诸多显著优势:
    - 优化设计:采用 OptiMOS™-5 技术,专为汽车应用设计。
    - 宽泛的工作温度:可承受-55°C至+175°C的工作温度,确保在极端环境下也能稳定工作。
    - 高可靠性:已通过 AEC-Q101 认证,能够满足严苛的工业标准。
    - 绿色环保:符合 RoHS 规范,无有害物质。
    - 高雪崩能力:具有卓越的雪崩能量,适合频繁开关的应用场合。
    - 低导通电阻:典型值为1.2mΩ,降低了功耗并提高了效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPC100N04S5L-1R5 适用于各种汽车应用,如电机驱动、电池管理系统(BMS)和电源转换等。例如,在电动汽车中,它可用作电机驱动器的主开关,提供高效的电力转换。
    使用建议
    1. 电路设计:考虑电路布局以减少寄生电感和电阻,这有助于提高电路的稳定性和效率。
    2. 散热管理:在高负载情况下,使用适当的散热装置(如散热片或散热风扇)来降低工作温度。
    3. 驱动电路:选择合适的驱动电阻以优化栅极驱动信号,从而减小开关损耗。

    兼容性和支持


    IPC100N04S5L-1R5 与其他兼容的电源设备高度兼容,包括汽车级的传感器和控制器。Infineon Technologies 提供全面的技术支持,包括详尽的产品文档、软件工具和现场技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 功耗过高:可能是因为散热不良或驱动电路设计不当。
    2. 开关速度慢:可能是因为外部电容过大或驱动电阻值不合适。
    3. 发热严重:可能是因为导通电阻较高或散热措施不足。
    解决方案
    1. 提高散热效果:增加散热器或风扇以帮助散热。
    2. 优化电路设计:调整驱动电阻和电容,确保快速开关。
    3. 选用更优型号:如果电流过载问题持续存在,可以考虑更换导通电阻更低的型号。

    总结和推荐


    综上所述,IPC100N04S5L-1R5 OptiMOS™-5 功率 MOSFET 在汽车应用中表现出色,具有出色的耐温性和高可靠性。它的低导通电阻和高雪崩能力使其成为高效率、高可靠性的首选产品。总体而言,我们强烈推荐此产品用于需要高性能和稳定性的应用场合。

IPC100N04S5L1R5ATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@ 50A,10V
栅极电荷 95nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 40V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 60µA
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.34nF@25V
最大功率耗散 115W(Tc)
Vgs-栅源极电压 16V
Id-连续漏极电流 100A
通用封装 TDSON-8-34
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,卷带包装

IPC100N04S5L1R5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPC100N04S5L1R5ATMA1数据手册

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IPC100N04S5L1R5ATMA1封装设计

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