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IRF7855TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 12 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 26M-IRF7855TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF7855TRPBF

IRF7855TRPBF概述


    产品简介


    IRF7855PbF:高性能 HEXFET 功率 MOSFET
    产品类型:
    IRF7855PbF 是一种高性能的 HEXFET 功率 MOSFET,属于 N 沟道增强型 MOSFET。它广泛应用于多种电力转换和驱动电路中。
    主要功能:
    - 在桥式拓扑结构的隔离直流-直流转换器中作为初级侧开关。
    - 在推挽拓扑结构的隔离直流-直流转换器中作为初级侧开关(适用于 18V 至 36V 输入电压)。
    - 作为次级侧同步整流开关,适用于 15V 输出电压。
    - 适合用于 48V 非隔离同步降压直流-直流转换器应用。
    应用领域:
    适用于各种电源管理和转换系统,包括但不限于工业控制、电信设备、计算机电源等。

    技术参数


    电气特性:
    - VDS(漏极到源极电压):最大值为 60V
    - RDS(on)(静态漏极到源极导通电阻):最大值为 9.4mΩ(VGS=10V)
    - ID(连续漏极电流,VGS=10V):25°C 时最大值为 12A;70°C 时最大值为 8.7A
    - IDM(脉冲漏极电流):最大值为 12A
    - PD(最大功率耗散):25°C 时为 97W
    热阻抗:
    - RθJL(结至漏极引脚热阻):20°C/W
    - RθJA(结至环境热阻,PCB 安装):50°C/W
    动态特性:
    - gfs(正向跨导):典型值为 14S
    - Qg(总栅极电荷):典型值为 26nC
    - td(on)(导通延迟时间):典型值为 8.7ns
    - tr(上升时间):典型值为 13ns
    - td(off)(关断延迟时间):典型值为 16ns
    - tf(下降时间):典型值为 12ns

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 低栅极到漏极电荷,可显著减少开关损耗。
    - 全面表征的电容,包括有效的 Coss(输出电容),简化设计。
    - 全面表征的雪崩电压和电流,提高可靠性。
    市场竞争力:
    - 该器件在高效率和低功耗方面表现出色,适用于需要高可靠性和稳定性的工业应用。
    - 独特的栅极电荷特性和全面的电气特性使其成为同类产品中的佼佼者。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    IRF7855PbF 可以广泛应用于以下几种场合:
    - 桥式拓扑结构的隔离直流-直流转换器: 可以显著降低系统损耗,提高转换效率。
    - 推挽拓扑结构的隔离直流-直流转换器: 特别适用于宽输入电压范围的应用,例如 18V 至 36V。
    - 次级侧同步整流开关: 适用于输出电压为 15V 的应用。
    使用建议:
    - 为了最大限度地发挥其性能,建议在选择外部栅极电阻时进行详细的计算,以确保适当的开关时间和功耗管理。
    - 在设计散热系统时,考虑其高热阻抗特性,合理布置散热路径和冷却装置,以避免过温现象。
    - 建议使用具有低杂散电感的 PCB 设计,以减少电磁干扰(EMI)。

    兼容性和支持


    兼容性:
    IRF7855PbF 与标准 SO-8 封装兼容,方便与其他标准器件集成使用。具体使用时需参考制造商提供的电气特性表。
    支持与维护:
    制造商 Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用笔记、数据手册和在线技术支持,帮助客户解决实际应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致的过温 | 调整栅极电阻,优化开关时间和驱动电路。 |
    | 导通电阻过高 | 确保 VGS 足够大,以达到 RDS(on) 的最小值。 |
    | 噪声干扰较大 | 使用去耦电容,优化 PCB 布局以减少寄生电感。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    IRF7855PbF 是一款高性能的 HEXFET 功率 MOSFET,适用于多种工业应用。其低栅极电荷和全面的电气特性使设计更加简单高效。在需要高效率和稳定性的场合下表现出色。
    推荐使用:
    鉴于其优异的性能和广泛应用范围,我们强烈推荐 IRF7855PbF 在工业电源管理和转换系统中使用。只要合理设计并充分考虑其电气特性和热管理要求,该器件将为您提供卓越的性能表现。

IRF7855TRPBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9.4mΩ@ 12A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.9V@ 100µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.56nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
最大功率耗散 2.5W(Ta)
Id-连续漏极电流 12A
配置 独立式
栅极电荷 39nC@ 10 V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRF7855TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF7855TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF7855TRPBF IRF7855TRPBF数据手册

IRF7855TRPBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.7676
10+ ¥ 4.4221
50+ ¥ 4.1233
100+ ¥ 4.0148
500+ ¥ 3.8141
1000+ ¥ 3.5897
库存: 970
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