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IPD30N03S4L14ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 31W(Tc) 16V 2.2V@ 10µA 14nC@ 10 V 1个N沟道 30V 13.6mΩ@ 30A,10V 30A 980pF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: REB-TMOSP9229
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD30N03S4L14ATMA1

IPD30N03S4L14ATMA1概述

    IPD30N03S4L-14 OptiMOS®-T2 Power Transistor

    1. 产品简介


    IPD30N03S4L-14是一款由Infineon Technologies公司生产的N沟道增强型功率晶体管,隶属于OptiMOS®-T2系列。该产品主要应用于汽车电子系统,具备出色的电气特性和广泛的工作温度范围。OptiMOS®-T2系列以其卓越的能效和可靠性而闻名,在众多电子设备和系统中都有广泛应用,如电动车辆驱动系统、电源转换装置及通信设备等。

    2. 技术参数


    - 连续漏极电流:最大为30A(在Tc=25°C, VGS=10V时);在Tc=100°C时,最大为27A。
    - 脉冲漏极电流:最大为120A。
    - 雪崩耐量:单脉冲雪崩能量可达16mJ,单脉冲雪崩电流可达30A。
    - 工作温度范围:存储和操作温度范围为-55°C到+175°C。
    - 热阻抗:结至壳热阻抗为4.9K/W,最小铜面积的SMD版本热阻抗最小为62K/W(对于6cm²的冷却区域)。
    - 栅源电压:±16V。
    - 功率损耗:最大为31W(在Tc=25°C时)。

    3. 产品特点和优势


    IPD30N03S4L-14具有以下显著的特点和优势:
    - 低导通电阻:典型值为13.6mΩ(在VGS=10V,ID=30A时),显著提高了系统的效率。
    - 高可靠性:通过了汽车电子行业标准AEC-Q101认证,确保了其在恶劣条件下的稳定性和耐用性。
    - 环保设计:符合RoHS标准,属于绿色产品。
    - 低雪崩能量损失:在极端工作条件下能够有效减少能量损失,提升整体性能。

    4. 应用案例和使用建议


    IPD30N03S4L-14非常适合应用于需要高性能和高可靠性的场合。例如,在电动汽车(EV)中作为驱动系统的开关,或者用于工业电源系统中的高效功率转换。此外,还可以在通信基站和其他对电源效率要求高的设备中使用。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑其额定电流和最大工作温度范围,以确保安全可靠运行。
    - 确保良好的散热设计,特别是在大功率应用场景下,以避免因过热而导致的损坏。
    - 利用低导通电阻的优势,设计高效的功率转换电路,降低能量损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IPD30N03S4L-14采用PG-TO252-3-11封装形式,可以方便地与各种PCB布局兼容。它同样适用于多种标准焊接工艺。
    - 支持:Infineon提供了详细的技术文档、应用指南和样片支持。客户可以通过Infineon的官方网站获取更多信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:在高电流负载下工作时,器件发热严重。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热器或外部风扇来加强散热效果。
    - 问题二:雪崩保护不足,器件损坏频繁。
    - 解决方案:适当增加雪崩吸收电路的设计,确保电路的可靠性。
    - 问题三:器件在低温环境中无法正常启动。
    - 解决方案:调整电路设计,增加预加热机制或提高电路初始启动电压。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPD30N03S4L-14在各方面表现优异,不仅拥有极低的导通电阻和出色的雪崩特性,还通过了汽车级认证,使其成为在苛刻环境下工作的理想选择。推荐在需要高效率、高可靠性的应用中使用此产品,尤其是电动车、工业电源和通信设备等。

IPD30N03S4L14ATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 13.6mΩ@ 30A,10V
栅极电荷 14nC@ 10 V
最大功率耗散 31W(Tc)
Vgs-栅源极电压 16V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 980pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 10µA
Id-连续漏极电流 30A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPD30N03S4L14ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD30N03S4L14ATMA1数据手册

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IPD30N03S4L14ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.2593 ¥ 2.2743
5000+ $ 0.2526 ¥ 2.215
7500+ $ 0.2481 ¥ 2.1754
12500+ $ 0.2241 ¥ 1.9651
17500+ $ 0.2121 ¥ 1.8602
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