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IRF7457

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W(Ta) 20V 3V@ 250µA 42nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 7mΩ@ 15A,10V 3.1nF@10V SOIC-8 贴片安装
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF7457

IRF7457概述

    SMPS MOSFET IRF7457PbF 技术手册

    产品简介


    SMPS MOSFET(Switch-Mode Power Supply Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)IRF7457PbF 是一款专为高频直流-直流转换器设计的高性能功率场效应晶体管。该产品主要用于电信和工业应用中的高频隔离式直流-直流转换器,同时也能满足计算机处理器电源的需求。IRF7457PbF 在这些应用中表现出色,具备低导通电阻、快速开关特性和优异的热稳定性。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏极-源极电压): 20V
    - VGS(栅极-源极电压): ±20V
    - ID(连续漏极电流):
    - TA = 25°C时:15A
    - TA = 70°C时:12A
    - IDM(脉冲漏极电流): 120A
    - PD(最大功耗):
    - TA = 25°C时:2.5W
    - TA = 70°C时:1.6W
    - 线性降额因子: 0.02 W/°C
    - TJ, TSTG(结温及存储温度范围): -55°C 至 +150°C
    - 静态特性
    - VDSS(漏极-源极击穿电压): 20V
    - RDS(on)(静态漏源极导通电阻): 7.0mΩ
    - ID(漏极连续电流): 15A
    - VGS(th)(栅极阈值电压): 1.0 - 3.0V (VDS = VGS, ID = 250µA)

    - 动态特性
    - Qg(总栅极电荷): 28 - 42nC (ID = 12A)
    - td(on)(开通延迟时间): 14ns (VDD = 10V)
    - tr(上升时间): 16ns (ID = 12A)
    - td(off)(关断延迟时间): 16ns (RG = 1.8Ω)
    - tf(下降时间): 7.5ns (VGS = 4.5V)

    产品特点和优势


    IRF7457PbF 的关键特点是:
    - 超低 RDS(on): 7.0mΩ,大大降低了功耗和热量产生。
    - 非常低的栅极阻抗: 有助于快速开关,提高效率。
    - 完全表征的雪崩电压和电流: 确保高可靠性。
    - 适用于高频应用: 适合于电信和工业领域的高频隔离式直流-直流转换器。
    - 低功耗和优异的热稳定性: 保证了在各种工作条件下的稳定性能。

    应用案例和使用建议


    IRF7457PbF 主要应用于高频隔离式直流-直流转换器,如电信和工业应用中的电源转换器,以及计算机处理器的电源管理。使用时应注意以下几点:
    - 保持合理的冷却条件: 由于功率较高,需确保散热良好,避免因过热导致性能下降。
    - 正确选择驱动电路: 为了获得最佳的开关特性,建议使用适当的驱动电路。
    - 合理布局电路板: 以减少寄生电容和电感的影响,确保信号完整性。

    兼容性和支持


    IRF7457PbF 具有较好的兼容性,可以与标准的 SO-8 封装兼容,易于在现有的设计中替换。制造商提供详尽的技术支持和售后服务,帮助用户解决问题并提供最新的产品信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现发热问题。
    - 解决办法: 确保使用足够的散热措施,如安装散热片或散热器。
    - 问题: 导通电阻增加。
    - 解决办法: 检查工作温度是否超过正常范围,并确保电路中无短路。
    - 问题: 栅极电荷过高。
    - 解决办法: 调整栅极驱动电阻,优化驱动电路的设计。

    总结和推荐


    总体而言,IRF7457PbF 是一款非常适合高频应用的高性能 MOSFET,具有低功耗、高可靠性和良好的热稳定性。其适用于电信、工业和计算机电源等领域,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。强烈推荐使用此产品来提升您的电源转换器性能。
    如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请联系 IRF 官方技术支持团队。

IRF7457参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 42nC@ 4.5 V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.1nF@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2.5W(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 15A,10V
通道数量 -
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF7457厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF7457数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF7457 IRF7457数据手册

IRF7457封装设计

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