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IRF3704PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 87W(Tc) 20V 3V@ 250µA 19nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 9mΩ@ 15A,10V 64A 1.996nF@10V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: ET-8648115
供应商: 海外现货
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF3704PBF

IRF3704PBF概述

    IRF3704PbF 技术手册

    产品简介


    IRF3704PbF 是一款由国际整流器公司(International Rectifier,简称 IR)设计的高效功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。作为 HEXFET 功率 MOSFET 的一种型号,它具有超低栅极阻抗、非常低的 RDS(on) 和完全指定的雪崩电压和电流等特点。该产品广泛应用于高频开关电源模块(SMPS)中,特别是在计算机处理器电源和电信及工业用途的高频逆变器中表现出色。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏源电压(VDS):20V
    - 连续漏电流(ID):@ TC = 25°C 时为 77A;@ TC = 70°C 时为 64A
    - 最大脉冲漏电流(IDM):308A
    - 最大功率耗散(PD):@ TC = 25°C 时为 87W;@ TC = 70°C 时为 61W
    - 线性降额因子:0.59mW/°C
    - 热阻抗:
    - 结点至外壳(RθJC):无典型值,最大值为 1.73°C/W
    - 外壳至散热片(RθCS):0.50°C/W
    - 结点至环境(RθJA):无典型值,最大值为 62°C/W
    - 动态参数:
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大 216mJ
    - 雪崩电流(IAR):最大 71A
    - 前向跨导(gfs):42S @ VDS = 10V, ID = 57A
    - 总栅电荷(Qg):19nC @ ID = 28.4A
    - 静态参数:
    - 端到端击穿电压(V(BR)DSS):20V @ VGS = 0V, ID = 250µA
    - 漏源电阻(RDS(on)):最大 9.0mΩ @ VGS = 10V, ID = 15A
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):1.0V - 3.0V @ ID = 250µA

    产品特点和优势


    - 超低栅极阻抗:这有助于减少驱动电路中的损耗,提高系统的整体效率。
    - 非常低的 RDS(on):降低导通状态下的功率损耗,适合高效率应用。
    - 完全指定的雪崩电压和电流:在极端条件下的可靠性得到保证,提高了产品的稳定性。
    - 适用于多种应用:特别适合高频开关电源模块,如计算机处理器电源和电信设备中的应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于高频直流-直流隔离转换器,尤其是计算机处理器电源和电信及工业用途的高频逆变器。
    - 使用建议:
    - 确保电路设计充分考虑散热,避免长时间工作在极限温度条件下。
    - 使用适当的栅极驱动电路以确保快速稳定的开关时间,减少不必要的开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF3704PbF 支持标准封装,如 D2PAK、TO-220AB、TO-262 和 TO-262FLIP,与多种电路板设计兼容。
    - 厂商支持:提供详细的安装指南和应用笔记,如应用注释 #AN-994,帮助用户正确安装和使用。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 如何确保正确的栅极驱动?
    - A1: 选择合适的栅极电阻(RG),并确保驱动电路能够提供足够的驱动电流。参照应用注释 #AN-994 获取详细指导。

    - Q2: 如何处理高温环境下的热管理?
    - A2: 在设计时考虑良好的散热措施,例如使用大尺寸散热器和改善气流。如果可能,增加外部冷却装置以帮助降低器件温度。

    总结和推荐


    IRF3704PbF 在多个方面展现了出色的技术指标和性能,特别是在高效率和高可靠性的要求下。其广泛的适用性和可靠的性能使其成为高频开关电源和逆变器应用的理想选择。因此,强烈推荐在上述应用中使用此产品。为了最大化其性能,建议遵循制造商的应用指南进行安装和调试。

IRF3704PBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 64A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 15A,10V
最大功率耗散 87W(Tc)
栅极电荷 19nC@ 4.5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.996nF@10V
配置 独立式
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF3704PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF3704PBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF3704PBF IRF3704PBF数据手册

IRF3704PBF封装设计

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