处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD100N04S402ATMA1

IPD100N04S402ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS T2系列, Vds=40 V, 100 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: UA-IPD100N04S402ATMA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD100N04S402ATMA1

IPD100N04S402ATMA1概述


    产品简介


    IPD100N04S4-02 是一款采用 OptiMOS®-T2 技术的增强型 N 沟道功率场效应晶体管(Power-Transistor)。该产品已通过 AEC 认证,并符合 RoHS 标准,是绿色环保产品。它具有高达 175°C 的工作温度范围,能够在广泛的工业和汽车应用中提供出色的性能和可靠性。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 连续漏极电流(ID):TC=25°C, VGS=10V 时为 100A;TC=100°C, VGS=10V 时也为 100A
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):TC=25°C 时为 400A
    - 雪崩能量(EAS):ID=50A 时为 440mJ
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 功率耗散(Ptot):TC=25°C 时为 150W
    - 工作和存储温度范围(Tj, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 热特性:
    - 结到壳的热阻(RthJC):1.0K/W
    - 结到环境的热阻(RthJA):62K/W(直立于 PCB 上)
    - 6 cm² 散热面积的热阻(RthJA):40K/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):VGS=0V, ID=1mA 时为 40V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):VDS=VGS, ID=95µA 时为 2.0V 至 4.0V
    - 零栅电压漏极电流(IDSS):VDS=40V, VGS=0V, TJ=25°C 时为 0.04µA 至 1µA
    - 输入电容(CISS):7250pF 至 9430pF
    - 输出电容(COSS):1630pF 至 2120pF
    - 反向转移电容(CRSS):55pF 至 127pF
    - 典型输出特性:在 25°C 下 VDS=6V 时 ID=f(VGS)
    - 典型传输特性:在 25°C 下 VGS=10V 时 RDSON=f(ID)

    产品特点和优势


    - 增强型 N 沟道技术:提供高效率和低损耗。
    - AEC 认证:适用于汽车应用。
    - MSL1 级别:耐高温回流焊(峰值 260°C)。
    - 绿色产品:RoHS 合规,环保材料。
    - 100% 雪崩测试:确保可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 汽车应用:如电动机驱动和电源管理,可以利用其高可靠性。
    - 工业应用:如工厂自动化设备,可以利用其宽泛的工作温度范围。
    - 使用建议:为了充分发挥性能,建议使用较大的散热面积并避免长时间在高电流下工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的 TO-252 封装兼容,可轻松替换现有器件。
    - 支持:Infineon 提供详细的技术文档和客户服务,以确保客户能够充分利用该产品的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何处理过高的热阻?
    - 解决方案:增加散热面积或使用散热片。
    - 问题:漏电流过高怎么办?
    - 解决方案:检查电路设计并确保适当的栅极电阻。

    总结和推荐


    IPD100N04S4-02 作为一款高性能的 N 沟道功率场效应晶体管,具备多种优势,包括高可靠性、宽温范围和良好的热管理能力。它的广泛适用性使其成为汽车和工业应用的理想选择。我们强烈推荐在需要高效能和可靠性的场合使用该产品。

IPD100N04S402ATMA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.43nF@25V
配置 -
最大功率耗散 150W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 100A,10V
栅极电荷 118nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 95µA
长*宽*高 6.73mm(长度)*2.41mm(高度)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPD100N04S402ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD100N04S402ATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD100N04S402ATMA1 IPD100N04S402ATMA1数据手册

IPD100N04S402ATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.685 ¥ 5.7403
库存: 20000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 14350.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0