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IPA80R310CEXKSA2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 35W(Tc) 20V 3.9V@1mA 91nC@ 10 V 1个N沟道 800V 310mΩ@ 11A,10V 16.7A 2.32nF@100V TO-220 通孔安装 10.65mm*4.85mm*16.15mm
供应商型号: UA-IPA80R310CEXKSA2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA80R310CEXKSA2

IPA80R310CEXKSA2概述

    MOSFET 技术手册:800V CoolMOS™ CE 功率晶体管 IPA80R310CE

    产品简介


    MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电子电路中常用的半导体器件之一,广泛应用于电源管理和多市场领域。本手册介绍的800V CoolMOS™ CE 功率晶体管IPA80R310CE属于CoolMOS™ CE系列,采用TO-220FP封装,具备高电压能力、极低的动态dv/dt特性、高脉冲电流能力和低门极电荷等优势,适用于LED照明及适配器中的QR Flyback拓扑结构。

    技术参数


    - 基本参数
    - VDS:800V(Tj=25°C)
    - 最大RDS(on):310mΩ
    - 典型Qg:91nC
    - 脉冲ID:51A(Tc=25°C)
    - EOSS(@400V):6.7μJ
    - 体二极管di/dt:400A/μs
    - 最大额定值
    - 持续漏极电流ID:16.7A(Tc=25°C),10.6A(Tc=100°C)
    - 脉冲漏极电流ID,pulse:51A(Tc=25°C)
    - 雪崩能量EAS:670mJ(ID=3.4A, VDD=50V)
    - 雪崩重复能量EAR:0.50mJ(ID=3.4A, VDD=50V)
    - 雪崩重复电流IAR:3.40A
    - MOSFET dv/dt抗扰度:50V/ns(VDS=0...640V)
    - 热特性
    - 热阻RthJC:3.6°C/W(典型值)
    - 热阻RthJA:80°C/W(引线式)
    - 波峰焊接允许温度Tsold:260°C(1.6mm距离外壳,10秒内)
    - 电气特性
    - 击穿电压V(BR)DSS:800V(VGS=0V, ID=0.25mA)
    - 门限电压V(GS)th:2.1~3.9V(VDS=VGS, ID=1mA)
    - 无门限电压漏极电流IDSS:250μA(VDS=800V, VGS=0V, Tj=25°C)
    - 门极源极泄漏电流IGSS:100nA(VGS=20V, VDS=0V)
    - 漏极源极导通电阻RDS(on):0.25~0.78Ω(VGS=10V, ID=11A, Tj=25°C)

    产品特点和优势


    - 高电压能力:最高耐压达到800V,适合高压应用。
    - 极低动态dv/dt特性:具有出色的dv/dt抗扰度。
    - 高脉冲电流能力:可承受高达51A的脉冲电流。
    - 低门极电荷:总门极电荷为91nC,有助于提高开关速度和降低损耗。
    - 环保材料:无铅镀层,符合RoHS标准,不含卤素的模塑料。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:LED照明和适配器中使用的QR Flyback拓扑结构。
    - 使用建议:对于并联MOSFET,建议使用铁氧体磁珠或独立的推拉级结构以避免过流现象。
    - 优化方案:在设计电路时,考虑散热设计,确保MOSFET的工作温度不超过最大额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与各种高压逆变器、适配器和其他高压电子系统兼容。
    - 支持信息:制造商提供了详细的应用笔记、仿真模型和设计工具,可通过Infineon官网获取。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何防止MOSFET过热?
    - 解决方案:确保良好的散热设计,使用散热片或风扇来辅助散热。
    - 问题2:如何避免MOSFET损坏?
    - 解决方案:遵守最大额定值限制,合理选择门极电阻值以控制开关速度。
    - 问题3:如何进行MOSFET的正确测试?
    - 解决方案:使用适当的测试电路,遵循手册中的测试条件进行测试。

    总结和推荐


    - 总体评价:800V CoolMOS™ CE 功率晶体管IPA80R310CE在高压应用中表现出色,具备高效、安全和稳定的特点,非常适合用于LED照明和适配器等应用领域。
    - 推荐程度:强烈推荐在需要高压、高效率的应用场合中使用该产品,但务必严格遵守设计规范和操作指导以确保最佳性能和安全性。

IPA80R310CEXKSA2参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 91nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.32nF@100V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
最大功率耗散 35W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.9V@1mA
Rds(On)-漏源导通电阻 310mΩ@ 11A,10V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Id-连续漏极电流 16.7A
长*宽*高 10.65mm*4.85mm*16.15mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPA80R310CEXKSA2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA80R310CEXKSA2数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R310CEXKSA2 IPA80R310CEXKSA2数据手册

IPA80R310CEXKSA2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.4125 ¥ 11.8368
115+ $ 1.4125 ¥ 11.8368
349+ $ 1.4125 ¥ 11.8368
910+ $ 1.325 ¥ 11.1035
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