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IPD90N06S407ATMA2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 OptiMOS系列, Vds=60 V, 90 A, TO-252封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPD90N06S407ATMA2
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD90N06S407ATMA2

IPD90N06S407ATMA2概述


    产品简介


    IPD90N06S4-07 OptiMOS®-T2 功率晶体管
    IPD90N06S4-07 是一款由 Infineon Technologies 生产的高性能 N 沟道增强型功率晶体管,属于 OptiMOS®-T2 系列。它采用 TO-252 封装,具有低导通电阻(RDSon)的特点,适用于高效率的电源转换系统和其他需要高性能开关的应用场合。这款产品通过了 AEC-Q101 认证,适用于汽车电子领域。

    技术参数


    以下是 IPD90N06S4-07 的主要技术参数:
    - 连续漏极电流:25°C 时为 90A;100°C 时为 63A
    - 脉冲漏极电流:360A
    - 雪崩能量(单脉冲):67mJ
    - 雪崩电流(单脉冲):90A
    - 栅源电压:±20V
    - 最大功率耗散:25°C 时为 79W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 热阻:结至外壳(RthJC)为 1.9 K/W;最小封装(SMD版本)结至环境(RthJA)为 62 K/W
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压:60V
    - 栅阈值电压:2.0V 至 4.0V
    - 零栅源电压漏极电流:25°C 时为 0.01µA 至 1µA
    - 漏源导通电阻:10V 栅压下为 5.7mΩ 至 6.9mΩ
    - 动态特性
    - 输入电容:3460pF 至 4500pF
    - 输出电容:850pF 至 1105pF
    - 反向传输电容:35pF 至 70pF
    - 门极电荷特性
    - 门极到源极电荷:21nC 至 27nC
    - 门极到漏极电荷:5.5nC 至 11nC
    - 总门极电荷:43nC 至 56nC

    产品特点和优势


    IPD90N06S4-07 具备以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻:5.7mΩ 至 6.9mΩ,在高电流条件下显著降低损耗,提高整体效率。
    - 高温操作能力:工作温度范围宽广,可达 -55°C 至 +175°C,适合极端环境应用。
    - AEC-Q101 认证:满足严格的汽车行业标准,确保产品质量和可靠性。
    - 环保材料:符合 RoHS 规范,采用绿色材料,减少对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 车载充电器:利用其高可靠性和高温工作能力,适用于电动汽车的车载充电器。
    2. 开关电源:在高效率的开关电源设计中,提供低损耗和快速开关特性,从而提升整体系统效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要充分考虑散热问题,特别是在高电流应用情况下,要选择合适的散热方案,避免因过热导致损坏。
    - 在高温环境下使用时,要注意保证系统的散热条件,必要时可增加散热片或散热风扇以确保正常运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与标准 PCB 制造工艺兼容,易于集成到现有系统中。
    - 支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和在线技术支持,确保用户能够顺利使用和维护该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 产品过热
    - 解决方案:增加散热片或冷却风扇,改善散热条件。

    2. 电路不稳定
    - 解决方案:检查电路设计,确保栅极驱动信号稳定,并调整门极电阻以优化开关性能。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:IPD90N06S4-07 具有出色的导通电阻、高温工作能力和环保特性,非常适合高效率的开关电源和其他功率转换应用。

    - 缺点:由于其高成本,可能不适合对成本敏感的小型项目。
    推荐:
    - 推荐用于:适合于高效率、高温环境下的关键电源应用,尤其是汽车电子等领域。
    - 不推荐用于:成本控制极为严格的低成本项目。
    总的来说,IPD90N06S4-07 是一款高性能的 N 沟道增强型功率晶体管,适用于要求高效率和高可靠性的应用场景。

IPD90N06S407ATMA2参数

参数
Id-连续漏极电流 90A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 6.9mΩ@ 90A,10V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.46nF@ 25V
最大功率耗散 79W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 40µA
栅极电荷 56nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPD90N06S407ATMA2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD90N06S407ATMA2数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2数据手册

IPD90N06S407ATMA2封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.1988
630+ ¥ 6.9852
1250+ ¥ 6.7726
2500+ ¥ 3.9882
5000+ ¥ 3.9076
10000+ ¥ 3.8293
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