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IPD90N04S404ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS T2系列, Vds=40 V, 90 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2709873
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD90N04S404ATMA1

IPD90N04S404ATMA1概述

    # IPD90N04S4-04 OptiMOS®-T2 Power Transistor 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IPD90N04S4-04 是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),由Infineon Technologies公司生产。此型号特别适用于汽车、工业控制、电源管理等领域,具有高可靠性、高性能的特点。OptiMOS®-T2 系列的产品以低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力为显著特征。
    主要功能
    - 高速开关性能
    - 低导通电阻,减少损耗
    - 强大的电流承载能力
    - 优秀的热稳定性
    应用领域
    - 汽车电子系统:如电机驱动、电池管理系统等。
    - 工业自动化设备:如伺服驱动器、电源转换器等。
    - 电源管理:如DC-DC转换器、线性电源等。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 连续漏极电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | - | 90 | - | A |
    | 冲击漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | - | - | 360 | A |
    | 雪崩能量,单脉冲 | EAS | ID=45A | - | - | 95 | mJ |
    | 雪崩电流,单脉冲 | IAS | - | - | - | 90 | A |
    | 门源电压 | VGS | - | ±20 | - | ±20 | V |
    | 功率耗散 | Ptot | TC=25°C | - | - | 71 | W |
    | 工作温度范围 | Tj, Tstg | -55 ... +175 | -55 | - | +175 | °C |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过AEC认证,符合RoHS标准,确保在极端环境下的稳定工作。
    - 强大电流承载能力:连续漏极电流可达90A,冲击漏极电流高达360A。
    - 卓越的热稳定性:热阻(RthJC)仅为2.1 K/W,可承受高达260°C的峰值回流温度。
    - 优秀的雪崩特性:具备单脉冲雪崩能量测试,确保高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在工业控制系统中,IPD90N04S4-04可用于电机驱动器中,以实现高效的能量转换。在汽车电子系统中,该器件可以用于电池管理系统,提高系统的整体效率。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,需注意散热设计,避免超过最高允许的工作温度。
    - 在瞬态状态下使用时,应注意防止过载,特别是冲击漏极电流。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此产品与标准的TO252封装兼容,易于安装和替换。
    - 支持:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决安装和调试过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致故障 | 加强散热措施,降低工作环境温度 |
    | 开关速度慢 | 调整驱动电路,优化驱动信号波形 |
    | 电流过大导致损坏 | 限制输入电流,增加外部保护电路 |

    总结和推荐


    综合评估
    IPD90N04S4-04 OptiMOS®-T2 功率场效应晶体管以其出色的热稳定性、强大的电流承载能力和卓越的开关性能,在多种应用场合中表现出色。特别是在高温、高电流的应用环境中,其可靠性和稳定性尤为突出。
    推荐
    强烈推荐此产品用于需要高性能和高可靠性的应用场景,尤其是在汽车电子、工业控制和电源管理领域。Infineon Technologies 提供全面的技术支持和服务,使用户能够更加便捷地进行选型和应用。

IPD90N04S404ATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 90A,10V
最大功率耗散 71W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 90A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 35µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.44nF@25V
栅极电荷 43nC@ 10 V
长*宽*高 6.73mm(长度)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPD90N04S404ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD90N04S404ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1数据手册

IPD90N04S404ATMA1封装设计

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1+ ¥ 4.4852
10+ ¥ 3.3979
100+ ¥ 3.0445
500+ ¥ 2.9902
1000+ ¥ 2.9358
5000+ ¥ 2.9358
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