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IRLR024NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 45W(Tc) 16V 2V@ 250µA 15nC@ 5 V 1个N沟道 55V 65mΩ@ 10A,10V 17A 480pF@25V DPAK,TO-252AA 贴片安装
供应商型号: 1013486
供应商: element14
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR024NPBF

IRLR024NPBF概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET 是国际整流器公司(International Rectifier)生产的第五代高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。它采用先进的处理技术,旨在实现每单位硅面积最低的导通电阻(RDS(on)),并结合快速开关速度和坚固耐用的设计,为各种应用提供高效能的电子元件。

    技术参数


    以下是一些关键技术参数和规格:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | RDS(on) | 0.065 | - | - | Ω (VGS = 10V, ID = 10A) |
    | RθJC | - | - | 3.3 | °C/W |
    | RθJA (PCB mount) | - | - | 50 | °C/W |
    | RθJA | - | - | 110 | °C/W |
    | VDSS | 55 | - | - | V |
    | IDM | - | - | 72 | A |
    | ID @ TC = 25°C | - | 17 | - | A |
    | ID @ TC = 100°C | - | 12 | - | A |
    | PD @ TC = 25°C | - | - | 45 | W |
    | VGS | - | ± 16 | - | V |
    | EAS | - | - | 68 | mJ |
    | dv/dt | - | - | 5.0 | V/ns |

    产品特点和优势


    - 逻辑级门驱动:HEXFET® Power MOSFET 支持逻辑级门驱动,使其易于集成到数字控制电路中。
    - 先进工艺技术:采用先进的制造工艺,确保低导通电阻和高可靠性。
    - 快速开关:优异的开关性能,适用于需要高速切换的应用场景。
    - 全雪崩额定:在雪崩条件下能够稳定运行,具有极高的耐用性。
    - 无铅封装:符合环保要求,减少对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® Power MOSFET 主要应用于电源转换、马达控制、照明系统等领域。例如,在一个典型的电源转换应用中,HEXFET® Power MOSFET 可以用于降压转换器,帮助提高整体效率。为了获得最佳性能,建议使用适当的散热措施,如铜质散热片或风扇,以降低热阻。

    兼容性和支持


    HEXFET® Power MOSFET 与常见的 PCB 装配方法兼容,支持表面贴装和通孔安装。国际整流器公司提供详尽的技术支持和维护服务,包括产品规格书、应用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高电流环境下使用时出现过热现象怎么办?
    A: 确保适当散热,增加外部散热器或采用更好的冷却方案。
    - Q: 如何优化开关损耗?
    A: 通过降低门极电荷(Qg)和栅极电阻(RG)来减小开关损耗。
    - Q: 雪崩耐受能力不足如何处理?
    A: 选择更高雪崩能量等级的型号,或者减少操作条件下的瞬态电压。

    总结和推荐


    HEXFET® Power MOSFET 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,适用于多种应用场景。其低导通电阻、快速开关特性和高雪崩耐受能力使其在市场上具备显著的竞争优势。强烈推荐使用此产品,尤其是对于需要高效能、高可靠性的应用场景。
    这篇文章总结了HEXFET® Power MOSFET的主要特点和应用情况,并提供了技术支持和常见问题解决方案,旨在帮助工程师更好地理解和使用这一产品。

IRLR024NPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 55V
栅极电荷 15nC@ 5 V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 17A
最大功率耗散 45W(Tc)
Vgs-栅源极电压 16V
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 10A,10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 480pF@25V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 DPAK,TO-252AA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

IRLR024NPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR024NPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR024NPBF IRLR024NPBF数据手册

IRLR024NPBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ $ 0.5152 ¥ 4.3125
10+ $ 0.4179 ¥ 3.4982
100+ $ 0.3397 ¥ 2.8437
500+ $ 0.2897 ¥ 2.4252
1000+ $ 0.2423 ¥ 2.0281
5000+ $ 0.2282 ¥ 1.9101
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