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IRLI520NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 30W(Tc) 16V 2V@ 250µA 20nC@ 5 V 1个N沟道 100V 180mΩ@ 6A,10V 8.1A 440pF@25V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: UA-IRLI520NPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLI520NPBF

IRLI520NPBF概述


    产品简介


    产品名称:IRLI520NPbF HEXFET 功率 MOSFET
    类型:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:实现极低的导通电阻和快速开关速度,适合多种应用场合
    应用领域:工业和商业电子产品、电源管理、电机驱动、通信设备等

    技术参数


    - 漏源电压 (VDSS):100V
    - 导通电阻 (RDS(on)):0.18Ω (VGS = 10V, ID = 6.0A)
    - 连续漏电流 (ID):8.1A (TC = 25°C),5.7A (TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):35A
    - 最大功耗 (PD):30W
    - 最大栅源电压 (VGS):± 16V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):85mJ
    - 重复雪崩能量 (EAR):3.0mJ
    - 最大峰值二极管恢复电压变化率 (dv/dt):5.0V/ns
    - 工作温度范围 (TJ):-55°C 到 +175°C
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 到 +175°C

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 使用先进的处理技术,提供极低的导通电阻和快速的开关速度。
    - 集成栅级逻辑驱动。
    - 隔离封装,高压隔离达 2.5kVRMS。
    - 完全雪崩额定值。
    - 引脚无铅。
    - 适用于商业和工业应用。
    产品优势:
    - 极低的导通电阻使得功耗更低,效率更高。
    - 快速开关速度降低了开关损耗,提高了系统效率。
    - 高压隔离和可靠的设计增强了应用的稳定性和安全性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电机驱动:在电动工具和工业自动化设备中作为电机控制电路的一部分。
    - 电源管理:用于电源转换器和逆变器中的开关电路。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合最大额定值要求,如连续漏电流和最大功耗。
    - 选择合适的散热装置以确保长时间稳定运行。
    - 注意散热设计,避免过热。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与标准 TO-220 封装兼容。
    - 与其他电子元器件一起使用时应注意额定值匹配。
    支持:
    - 厂商提供详细的技术文档和应用指南。
    - 客户可以联系当地 Infineon 办公室获取进一步的支持和咨询。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 过温保护:由于散热不良导致过温,应加强散热设计或降低工作电流。
    2. 电磁干扰:增加滤波器或屏蔽材料以减少干扰。
    3. 击穿电压问题:确保电路设计中不超出最大额定值。
    解决方案:
    1. 改进散热设计:使用适当的散热片或风扇。
    2. 添加滤波器:在电源输入端添加电容滤波器。
    3. 确保额定值:严格按照数据手册中的额定值进行设计和测试。

    总结和推荐


    综合评估:
    - IRLI520NPbF 是一款高性能的 MOSFET,具有极低的导通电阻和快速的开关速度。
    - 其先进的工艺技术和可靠的封装使其适用于多种应用场景。
    - 提供了全面的技术支持和详尽的应用指南。
    推荐结论:
    - 推荐用于需要高效率和高可靠性应用的场合,如电机驱动、电源管理等领域。

IRLI520NPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 8.1A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 6A,10V
栅极电荷 20nC@ 5 V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 440pF@25V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 30W(Tc)
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 16V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

IRLI520NPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLI520NPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLI520NPBF IRLI520NPBF数据手册

IRLI520NPBF封装设计

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