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IRF7478

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W 20V 3V 21nC@ 4.5V 60V 26mΩ@ 10V 1.74nF@ 25V SOP 贴片安装
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF7478

IRF7478概述

    IRF7478 SMPS MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRF7478 是一种高效的 HEXFET® 功率 MOSFET,专为高频直流-直流转换器和其他类似应用设计。它采用 SO-8 封装,具备出色的高频率开关性能和低导通电阻(RDS(on)),使其适用于各种电源管理和转换应用。

    技术参数


    以下是 IRF7478 的关键技术参数:
    - 连续漏极电流 (ID):在 25°C 时为 7.0A,在 70°C 时为 5.6A。
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大为 56A。
    - 功率耗散 (PD):在 25°C 时为 2.5W。
    - 线性降额因子:0.02W/°C。
    - 栅源电压 (VGS):±20V。
    - 最大击穿电压 (V(BR)DSS):60V。
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):1.0V 至 3.0V。
    - 输出电容 (Coss):最大 220pF。
    - 开关时间 (td(on), tf):分别为 7.7ns 和 13ns。

    产品特点和优势


    1. 低栅到漏极电荷:减少开关损耗。
    2. 全面表征的电容:包括有效的 Coss,简化设计。
    3. 全面表征的雪崩电压和电流:提高可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适合高频直流-直流转换器,如通信设备、计算机电源等。
    - 使用建议:确保电路设计符合规范,特别注意散热设计,避免过热导致的性能下降。使用铜板散热可提升功率耗散能力。

    兼容性和支持


    IRF7478 可与其他标准 MOSFET 设备兼容。厂商提供详细的技术支持文档和应用指南,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何防止过温?
    - A: 使用大尺寸散热片并确保良好的空气流通。

    - Q: 开关损耗如何降低?
    - A: 选择合适的栅极电阻,优化电路布局以减少杂散电感。

    总结和推荐


    IRF7478 MOSFET 在高频率应用中表现出色,具备低开关损耗和优异的可靠性。虽然价格相对较高,但其卓越的性能和稳定性使其成为许多电源管理和转换应用的理想选择。因此,我们强烈推荐使用 IRF7478 进行相关设计。

IRF7478参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 21nC@ 4.5V
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 10V
最大功率耗散 2.5W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.74nF@ 25V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.5mm(Max)
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装

IRF7478厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF7478数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF7478 IRF7478数据手册

IRF7478封装设计

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