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IRFR120NTR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 48W 20V 25nC(Max) @ 10V 100V 210mΩ@ 10V 330pF@ 25V TO-252 贴片安装
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR120NTR

IRFR120NTR概述

    IRFR/U120N HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFR/U120N 是一种由 International Rectifier 生产的第六代 HEXFET 功率 MOSFET。它具有低导通电阻(RDS(on) = 0.21Ω),适合在各种应用中使用。此产品可用于电源管理、电机驱动和工业自动化等多个领域,提供高效的电力转换和控制能力。

    技术参数


    - 最大连续漏极电流:ID @ TC = 25°C 时为 9.4A,ID @ TC = 100°C 时为 6.6A。
    - 最大脉冲漏极电流:IDM 为 38A。
    - 最大功率耗散:PD @ TC = 25°C 为 48W,线性降额系数为 0.32W/°C。
    - 栅源电压范围:±20V。
    - 单脉冲雪崩能量:EAS 为 91mJ。
    - 雪崩电流:IAR 为 5.7A。
    - 额定雪崩能量:EAR 为 4.8mJ。
    - 峰值二极管恢复电压变化率:dv/dt 为 5.0V/ns。
    - 工作结温范围:TJ -55°C 到 +175°C。
    - 存储温度范围:TSTG -55°C 到 +175°C。
    - 焊接温度:对于 1.6mm 距离的部件,最高为 300°C。

    产品特点和优势


    - 第五代 HEXFET 技术采用先进的加工技术,实现每平方硅面积上最低的导通电阻。
    - 快速开关速度。
    - 全面的雪崩评级。
    - 表面贴装封装(D-PAK)适用于蒸气相、红外或波峰焊接技术。
    - 直插式封装(IRFU 系列)适用于通孔安装。
    - 在典型表面贴装应用中,功率耗散可达 1.5W。

    应用案例和使用建议


    - 适用于多种应用,如电源管理和电机驱动。
    - 在表面贴装应用中,功率耗散可达到 1.5W。
    - 设计注意事项:低寄生电感,接地平面,低泄漏电感,电流互感器。
    - 推荐使用低寄生电感的布局设计以提高效率。

    兼容性和支持


    - 与同系列的其他型号如 IRFU120N 兼容。
    - 提供官方技术支持和维护服务,详细信息请参考应用说明文档 #AN-994。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的栅极驱动电阻?
    - 解决方法: 通过调节栅极驱动电阻(RG)来控制峰值二极管恢复电压变化率(dv/dt)。一般情况下,RG 值应在 25Ω 左右。

    - 问题:在高功率环境下如何确保稳定运行?
    - 解决方法: 确保良好的散热设计,避免热失控。在 PCB 上合理布置散热路径,并使用热界面材料以增强散热效果。

    总结和推荐


    IRFR/U120N 是一款性能卓越的功率 MOSFET,适用于各种电力电子应用。其低导通电阻、快速开关速度和全面的雪崩评级使其成为高效能解决方案的理想选择。强烈推荐用于需要高性能电力转换和控制的应用场景。其广泛的适用性和可靠的技术支持使其在市场上具有很强的竞争力。

IRFR120NTR参数

参数
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 25nC(Max) @ 10V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 210mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@ 25V
配置 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 48W
Vds-漏源极击穿电压 100V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.39mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装

IRFR120NTR厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR120NTR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR120NTR IRFR120NTR数据手册

IRFR120NTR封装设计

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