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BSO220N03MDGXUMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 7.7 A, PG-TO252-3封装, 表面贴装
供应商型号: REB-TMOS1283
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSO220N03MDGXUMA1

BSO220N03MDGXUMA1概述

    BSO220N03MD G OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET

    1. 产品简介


    BSO220N03MD G OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET 是一款高性能的双沟道N沟道功率MOSFET,专为5V驱动器应用(如笔记本电脑、VGA、POL)而设计。其在高频率开关模式电源(SMPS)中表现出色,具有极低的导通电阻和优秀的栅极电荷性能。这款器件符合环保标准,采用无铅电镀,满足RoHS要求,不含卤素。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 持续漏电流 (ID): 在 VGS=10V, TA=25°C 时为7.7A,在 VGS=4.5V, TA=25°C 时为6.9A。
    - 脉冲漏电流 (ID,pulse): 在TA=25°C时。
    - 雪崩电流 (IAS): 在TA=25°C时。
    - 雪崩能量 (EAS): 在ID=7.7A, RG=25Ω时。
    - 功率耗散 (Ptot): 在TA=25°C时为2W。
    - 结温范围 (Tj, Tstg): -55°C至150°C。
    - 电气特性
    - 击穿电压 (V(BR)DSS): 在 VGS=0V, ID=1mA 时为30V。
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)): 在 VDS=VGS, ID=250μA 时为1-2.1V。
    - 导通电阻 (RDS(on)): 在 VGS=4.5V, ID=6.9A 时为21.6-27mΩ,在 VGS=10V, ID=7.7A 时为18.3-22mΩ。
    - 热特性
    - 热阻 (RthJS): - - 50K/W。
    - 热阻 (RthJA): 稳态下为150K/W,最小尺寸电路板上为110K/W。
    - 动态特性
    - 输入电容 (CISS): 600-800pF。
    - 输出电容 (COSS): 230-310pF。
    - 反向转移电容 (CRSS): 12pF。

    3. 产品特点和优势


    BSO220N03MD G 的主要优势在于其出色的栅极电荷性能和低导通电阻,使其非常适合于高频率开关应用。其优化的设计使得它在笔记本电脑、VGA、POL等应用中表现优异,尤其是在高频率SMPS中的应用。此外,该器件符合环保标准,采用无铅电镀和无卤材料,适用于消费级应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 笔记本电脑中的电源管理。
    - VGA信号处理。
    - POL转换器。
    - 使用建议
    - 在高频率开关应用中,确保电路设计充分考虑散热,以避免过热。
    - 使用低电感的PCB布局,以减少寄生效应。
    - 对于需要高可靠性的应用,建议进行更多的热应力测试和电气性能验证。

    5. 兼容性和支持


    该器件采用PG-DSO-8封装,具有良好的互换性和兼容性,适合各种应用。Infineon Technologies提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品的性能和可靠性。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 温度过高导致器件损坏。
    - 解决方案: 通过增加散热片或优化PCB设计来改善散热效果。

    - 问题: 导通电阻不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电压是否正确,确认接线和连接无误。

    - 问题: 开关时间长。
    - 解决方案: 优化电路设计,使用更低的栅极电阻,确保栅极驱动电路稳定。

    7. 总结和推荐


    BSO220N03MD G OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET 是一款性能卓越的N沟道功率MOSFET,特别适合高频率开关应用。其优秀的电气特性和可靠性使其成为消费级应用的理想选择。对于需要高性能和可靠性的应用,我们强烈推荐使用此产品。

BSO220N03MDGXUMA1参数

参数
栅极电荷 10nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 7.7A,10V
通道数量 2
最大功率耗散 2W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 800pF@15V
配置
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSO220N03MDGXUMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSO220N03MDGXUMA1数据手册

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BSO220N03MDGXUMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.2949 ¥ 2.5859
5000+ $ 0.2872 ¥ 2.5185
7500+ $ 0.282 ¥ 2.4735
10000+ $ 0.2548 ¥ 2.2342
17500+ $ 0.2412 ¥ 2.115
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 2500
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