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AUIRL7732S2TR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.2W(Ta),41W(Tc) 16V 2.5V@ 50µA 33nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 6.6mΩ@ 35A,10V 14A 2.02nF@25V 直接安装,贴片安装 4.85mm*3.95mm*740μm
供应商型号: AV-E-AUIRL7732S2TR
供应商: Avnet
标准整包数: 4800
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) AUIRL7732S2TR

AUIRL7732S2TR概述


    产品简介


    AUIRL7732S2TR 是一款适用于汽车应用的高集成度功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品结合了Infineon的HEXFET®硅技术与先进的DirectFET®封装技术,提供极低的栅极电荷(Qg)和业界领先的导通电阻(RDS(on))。这种直接封装结构不仅具有比SO-8封装小38%的占板面积,而且仅有0.7mm的高度,非常适合于高密度和高效能的应用场景。此外,AUIRL7732S2TR的双面冷却设计能够最大化热传导效率,适用于各种严苛的汽车动力系统。

    技术参数


    - 最高栅源电压 (VGS):±16V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - @TC = 25°C:58A
    - @TC = 100°C:41A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):230A
    - 功率耗散 (PD):
    - @TC = 25°C:41W
    - @TA = 25°C:2.2W
    - 雪崩耐量 (EAS):
    - 单脉冲雪崩能量:46mJ
    - 测试单脉冲雪崩能量:124mJ
    - 热阻 (RθJA):67°C/W(稳态)
    - 击穿电压 (V(BR)DSS):40V
    - 导通电阻 (RDS(on)):典型值 5.0mΩ,最大值 6.6mΩ(@VGS = 10V, ID = 35A)
    - 栅阈电压 (VGS(th)):1.0V ~ 2.5V
    - 总栅电荷 (Qg):典型值 22nC
    - 反向恢复时间 (trr):23~35ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):16~24nC

    产品特点和优势


    - 逻辑级电压:适合与各种逻辑电平接口
    - 先进工艺技术:采用最新的硅加工技术,确保低RDS(on)和低Qg
    - 适用于汽车DC-DC转换器和电机驱动等重载应用
    - 极小的封装尺寸和低剖面:节省空间且易于安装
    - 高功率密度:适合紧凑型电路设计
    - 低寄生参数:降低不必要的电感和电容,提高电路效率
    - 双面冷却:实现高效的热管理
    - 高温运行能力:可在高达175°C的环境下正常工作
    - 重复雪崩能力:确保器件在高压应力下的稳定性和可靠性
    - 无铅、符合RoHS和无卤素标准

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车直流-直流转换器:用于车载电源管理系统
    - 电机驱动系统:驱动电动车窗、雨刷等
    - 重型负载应用:如工业控制设备、混合动力车(HEV)和电动汽车(EV)
    使用建议:
    - 确保散热系统良好,以应对大功率应用场景下的热量积累。
    - 使用双面冷却技术进一步提升散热效果,特别适用于紧凑的电路板布局。
    - 在设计电路时,考虑选择合适的栅极电阻,以优化开关性能并减少电磁干扰(EMI)。

    兼容性和支持


    AUIRL7732S2TR 支持现有的PCB布局几何形状,适用于现有的表面贴装技术和焊接工艺。厂商Infineon提供了详细的组装指南和技术文档(AN-1035),以确保用户能够顺利地完成安装和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高温环境下工作时,温度超出安全范围怎么办?
    - 解决办法:增加散热片或采用主动冷却系统,确保温度在规定范围内。

    - 问题:设备出现过压现象导致损坏怎么办?
    - 解决办法:在电路中加入适当的过压保护措施,如瞬态电压抑制器(TVS)。

    总结和推荐


    AUIRL7732S2TR作为一款高性能的汽车级功率MOSFET,具备卓越的电气特性和优异的热性能。它不仅在效率和可靠性方面表现出色,还提供了极大的灵活性,适用于各种复杂的汽车和工业应用。推荐给那些需要高效、紧凑且高可靠性的电源管理解决方案的设计工程师们。

AUIRL7732S2TR参数

参数
Vgs-栅源极电压 16V
最大功率耗散 2.2W(Ta),41W(Tc)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.02nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 50µA
栅极电荷 33nC@ 4.5 V
Id-连续漏极电流 14A
Rds(On)-漏源导通电阻 6.6mΩ@ 35A,10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 独立式quaddrain双源
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 4.85mm*3.95mm*740μm
安装方式 直接安装,贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AUIRL7732S2TR厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

AUIRL7732S2TR数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES AUIRL7732S2TR AUIRL7732S2TR数据手册

AUIRL7732S2TR封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4800+ $ 0.8813 ¥ 7.6669
14400+ $ 0.8742 ¥ 7.6055
48000+ $ 0.8672 ¥ 7.5442
库存: 9600
起订量: 4800 增量: 4800
交货地:
最小起订量为:4800
合计: ¥ 36801.12
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