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IRFR4620PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 144W(Tc) 20V 5V@ 100µA 38nC@ 10 V 1个N沟道 200V 78mΩ@ 15A,10V 24A 1.71nF@50V DPAK 贴片安装
供应商型号: IRFR4620PBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR4620PBF

IRFR4620PBF概述

    HEXFET Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    HEXFET Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是用于高效率开关电源应用的关键元件。它们的主要功能包括提供高电流和低导通电阻,适用于多种电力转换电路。这些设备广泛应用于不间断电源系统、高效率同步整流以及硬开关和高频电路中。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术参数:
    - 电气特性:
    - 额定电压:200V
    - 静态漏极-源极导通电阻(RDS(on)):64mΩ(典型值),最大78mΩ
    - 最大连续漏极电流(ID):24A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):100A
    - 最大漏极-源极电压(VDS):200V
    - 最大栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 热性能:
    - 热阻(RθJC):1.045°C/W(典型值)
    - 结到环境热阻(RθJA):50°C/W(PCB安装)
    - 静态特性:
    - 漏极-源极击穿电压(V(BR)DSS):200V(最小值)
    - 栅阈电压(VGS(th)):3.0至5.0V
    - 动态特性:
    - 前向跨导(gfs):37S(典型值)
    - 总栅极电荷(Qg):25至38nC
    - 二极管特性:
    - 反向恢复时间(trr):78ns(TJ = 25°C)
    - 反向恢复电荷(Qrr):294nC(TJ = 25°C)

    3. 产品特点和优势


    - 增强的坚固性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt稳定性
    - 完全表征的电容和雪崩SOA
    - 提升的体二极管dV/dt和dI/dt能力
    - 无铅设计

    4. 应用案例和使用建议


    HEXFET Power MOSFET 可用于多种电力电子应用中,例如:
    - 高效同步整流器(SMPS)
    - 不间断电源系统
    - 高速功率开关
    - 硬开关和高频电路
    使用建议:
    - 在高压电路中应用时,需要特别注意热管理以确保可靠运行。
    - 使用合适的栅极驱动器来减少开关损耗并提高整体效率。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与其他HEXFET系列的产品具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的电力转换系统中。
    - 厂商提供了详尽的技术文档和支持,包括应用笔记(如AN-994)和可靠性报告,以帮助用户更好地理解和应用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定栅极驱动器是否适合该MOSFET?
    - 解决办法:参考数据表中的推荐栅极电阻值,通常为7.3Ω(10V VGS)。确保栅极驱动器能够提供足够的驱动电流以确保快速开关。

    - 问题2:如何避免过热?
    - 解决办法:在电路设计中考虑适当的散热措施,如增加散热片或采用强制风冷。遵循数据表中的温度限制以防止过热。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    HEXFET Power MOSFET 是一款性能优异的功率半导体器件,具有低导通电阻、高电流容量和出色的可靠性。它们在电力转换应用中表现出色,非常适合于高效率、高速度和高频率的应用场合。
    推荐:
    对于需要高性能电力转换的项目,强烈推荐使用HEXFET Power MOSFET。其出色的表现和广泛的应用范围使其成为许多电力电子工程师的理想选择。

IRFR4620PBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 100µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.71nF@50V
栅极电荷 38nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 78mΩ@ 15A,10V
通道数量 1
最大功率耗散 144W(Tc)
Id-连续漏极电流 24A
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFR4620PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR4620PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4620PBF IRFR4620PBF数据手册

IRFR4620PBF封装设计

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