处理中...

首页  >  产品百科  >  JANTXV2N7236

JANTXV2N7236

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125W 20V 60nC(Max) @ 10V 1个P沟道 100V 220mΩ@ 10V 18A 1.4nF@ 25V TO-254-AA 通孔安装 13.84mm*6.6mm*13.84mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) JANTXV2N7236

JANTXV2N7236概述


    产品简介


    IRFM9140 是一款采用 HEXFET® MOSFET 技术 的高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET),属于 P 沟道类型。其主要功能是实现电能的高效开关和控制,适用于高电流和高频率的应用场景。该产品因其出色的性能,在开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器以及高能量脉冲电路中广泛应用。

    技术参数


    以下是 IRFM9140 的关键技术和性能参数:
    - 最大连续漏极电流 (ID):在 VGS = -10V,TC = 25°C 时为 -18A;在 TC = 100°C 时为 -11A。
    - 脉冲漏极电流 (IDM):-72A。
    - 最大功耗 (PD):125W(在 TC = 25°C)。
    - 最大门到源电压 (VGS):±20V。
    - 单次脉冲雪崩击穿能量 (EAS):500mJ。
    - 雪崩电流 (IAR):-18A。
    - 重复雪崩击穿能量 (EAR):12.5mJ。
    - 反向恢复峰值 di/dt:-5.5V/ns。
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 至 150°C。
    - 封装热阻 (RthJC):1.0°C/W(典型值)。
    - 输入电容 (Ciss):1400pF(VGS = 0V,VDS = -25V)。
    - 输出电容 (Coss):600pF。
    - 反向传输电容 (Crss):200pF。
    - 栅极电荷 (Qg):60nC(VGS = -10V,ID = -18A)。
    - 输入电容与输出电容比值:Ciss/Coss = 2.33。

    产品特点和优势


    1. HEXFET 技术:实现了低导通电阻(RDS(on) 最大 0.22Ω)和高跨导,确保了卓越的开关性能。
    2. 简单驱动要求:易于并联使用,降低了设计复杂度。
    3. 动态 dv/dt 额定值:在快速变化的电路环境中表现优异。
    4. 重量轻:适用于需要小型化设计的场合。
    5. 完全隔离的封装:简化了与散热片的集成过程。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFM9140 常用于以下场景:
    - 开关电源:如 DC-DC 转换器。
    - 电机控制:用于控制各种工业电机。
    - 逆变器:特别是高频逆变电路。
    - 高能脉冲电路:例如医疗成像设备中的脉冲发生器。
    使用建议
    1. 确保在高温环境下正确散热以避免过热。
    2. 在设计 PCB 时注意布线布局,尽量减少寄生电感和电容的影响。
    3. 选择合适的栅极电阻以优化开关速度。

    兼容性和支持


    IRFM9140 支持多种标准电路接口,并且通过了相关行业认证(如 MIL-PRF-19500/595)。国际整流器公司(International Rectifier)提供全面的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手和解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致失效 | 安装适当的散热器并优化热管理策略。 |
    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻值或优化 PCB 布局。 |
    | 导通电阻偏高 | 确保 VGS 达到额定值,例如 -10V。 |

    总结和推荐


    IRFM9140 是一款高性能、高可靠性的 P 沟道功率 MOSFET,特别适合于高频、高压和高可靠性需求的应用。其优秀的导通特性和简便的驱动方式使其在市场上具有较强的竞争力。综上所述,我们强烈推荐 IRFM9140 用于需要高效率、小体积及良好热性能的应用场景。

JANTXV2N7236参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.4nF@ 25V
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 18A
栅极电荷 60nC(Max) @ 10V
最大功率耗散 125W
Rds(On)-漏源导通电阻 220mΩ@ 10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 100V
长*宽*高 13.84mm*6.6mm*13.84mm
通用封装 TO-254-AA
安装方式 通孔安装

JANTXV2N7236厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

JANTXV2N7236数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES JANTXV2N7236 JANTXV2N7236数据手册

JANTXV2N7236封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336