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IPW60R080P7XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS™ C7系列, Vds=600 V, 40 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2986487
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW60R080P7XKSA1

IPW60R080P7XKSA1概述


    产品简介


    IPW60R080P7:600V CoolMOS™ P7 功率晶体管
    IPW60R080P7 是一款采用 TO-247-3 封装的 600V CoolMOS™ P7 功率晶体管。该晶体管基于第七代平台,继承了超级结(Super Junction, SJ)技术的优点,具有快速开关、低损耗和高鲁棒性的特点。它适用于硬开关和软开关应用,如功率因数校正(PFC)和 LLC 谐振变换器。其广泛的应用范围包括 PC 银盒、适配器、液晶电视(LCD & PDP TV)、照明系统、服务器和通信设备等领域。

    技术参数


    以下是 IPW60R080P7 的关键性能参数:
    | 参数 | 符号 | 单位 | 值 |
    | : | : | : | :-: |
    | 最大漏源电压 | VDS@Tj,max | V | 650 |
    | 最大导通电阻 | RDS(on),max | mΩ | 80 |
    | 典型栅极电荷 | Qg,typ | nC | 51 |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | A | 110 |
    | 在 400V 下的输出电容能量 | Eoss@400V | µJ | 5.5 |
    | 体二极管的 diF/dt A/µs | 900 |

    产品特点和优势


    IPW60R080P7 的独特功能和优势如下:
    - 易于使用和快速设计: 由于低振铃趋势和适用于 PFC 和 PWM 阶段的多功能性,使得设计过程简单且高效。
    - 简化热管理: 通过低开关损耗和传导损耗,提高了整体系统的热管理效率。
    - 提高功率密度: 采用更小的封装尺寸和更高的制造质量,配合超过 2kV 的 ESD 保护能力。
    - 广泛的适用性: 适用于各种不同功率范围和应用环境,例如 PFC 阶段、硬开关 PWM 阶段和共振切换阶段。

    应用案例和使用建议


    IPW60R080P7 功率晶体管主要用于电源转换应用,特别是在高效率和高频要求下。以下是一些具体应用和使用建议:
    - PFC 阶段: 可用于功率因数校正电路中,提高能效和减小体积。
    - 硬开关 PWM 阶段: 在硬开关模式下工作时,能够实现高效的电源转换。
    - 共振切换阶段: 在谐振变换器中使用,可以显著减少开关损耗并提高系统效率。
    使用建议:
    - MOSFET 并联: 在 MOSFET 并联应用中,建议使用扼流圈(ferrite beads)或独立的半桥结构来优化性能。
    - 散热管理: 确保良好的散热措施,尤其是在高功率应用中,避免过热损坏。

    兼容性和支持


    IPW60R080P7 与现有标准接口和电气特性兼容,便于集成到各种电路中。Infineon Technologies 提供了详尽的技术文档和支持资源,包括在线网页、应用笔记、仿真模型和设计工具。此外,还可以通过 Infineon 的技术支持团队获得帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些常见问题及相应的解决方案:
    1. 问题:设备启动困难。
    - 解决方案: 检查输入电压和连接是否正确,确保 MOSFET 接线无误。
    2. 问题:过热问题。
    - 解决方案: 确保散热片安装得当,并保持良好的空气流通。
    3. 问题:振铃现象明显。
    - 解决方案: 使用适当的门极电阻(RG)值,并考虑添加 RC 吸收网络以抑制振铃。

    总结和推荐


    IPW60R080P7 是一款高性能、多功能的功率晶体管,适合在多种应用环境中使用。其优秀的电气特性和稳定的性能表现使其在市场上具备较强的竞争力。无论是对高能效和紧凑设计有要求的 PFC 阶段,还是需要高效开关的硬开关 PWM 阶段,这款晶体管都是一个理想的选择。因此,我们强烈推荐使用 IPW60R080P7 功率晶体管。

IPW60R080P7XKSA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 11.8A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 590µA
Vds-漏源极击穿电压 600V
Id-连续漏极电流 37A
最大功率耗散 129W(Tc)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.18nF@400V
栅极电荷 51nC@ 10 V
配置 独立式
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPW60R080P7XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW60R080P7XKSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW60R080P7XKSA1 IPW60R080P7XKSA1数据手册

IPW60R080P7XKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 22.6345
10+ ¥ 20.2805
100+ ¥ 19.9183
500+ ¥ 19.5562
1000+ ¥ 19.5562
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