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IRFI4227PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 26 A, TO-220 全包装封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2626757
供应商: 海外现货
标准整包数: 2
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFI4227PBF

IRFI4227PBF概述

    电子元器件技术手册:IRFI4227PbF HEXFET® 功率MOSFET

    产品简介


    IRFI4227PbF 是一款专为等离子显示面板(PDP)设计的HEXFET® 功率MOSFET。这款MOSFET利用最先进的加工技术,实现了每单位硅面积低导通电阻和低EPULSE额定值。此外,它还具备高重复峰值电流能力,适用于等离子显示器的持续、能量回收和旁路开关应用。IRFI4227PbF凭借这些特性,成为高效、坚固和可靠的PDP驱动装置。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VGS(栅源电压):±30V
    - 连续漏极电流ID(@ TC = 25°C,VGS = 10V):26A
    - 连续漏极电流ID(@ TC = 100°C,VGS = 10V):17A
    - 脉冲漏极电流IDM:100A
    - 重复峰值电流IRP(@ TC = 100°C):47A
    - 最大功率耗散PD(@ TC = 25°C):46W
    - 最大功率耗散PD(@ TC = 100°C):18W
    - 线性降额系数:0.37W/°C
    - 工作结温和存储温度范围TJ:-40至+150°C
    - 印锡温度(对于1.6mm外壳,持续10秒):300°C
    - 安装扭矩(6-32或M3螺钉):10 lbf•in(1.1N•m)
    - 热阻
    - 结到壳体的热阻RθJC:2.73°C/W
    - 结到环境的热阻RθJA:65°C/W
    - 关键参数
    - 最大漏源电压VDS:200V
    - 击穿电压V(BR)DSS:200V
    - 静态漏源导通电阻RDS(ON)(@ VGS = 10V,ID = 17A):21mΩ
    - 重复峰值电流IRP(@ TC = 100°C):47A
    - 最大工作结温TJ:150°C

    产品特点和优势


    - 先进的工艺技术
    - 优化的关键参数,适用于PDP的持续、能量回收和旁路开关应用
    - 低EPULSE额定值,降低PDP持续、能量回收和旁路开关应用中的功耗
    - 低QG,实现快速响应
    - 高重复峰值电流能力,确保可靠运行
    - 快速开关,短时上升和下降时间
    - 高温工作结温(150°C),提高耐用性
    - 反复雪崩能力,提高鲁棒性和可靠性

    应用案例和使用建议


    IRFI4227PbF 主要应用于等离子显示面板,特别适合需要高性能和稳定性的场合。根据手册中的数据和波形图,可以看出该MOSFET在高压、高电流条件下的稳定性和效率。使用建议包括:
    - 严格控制工作环境温度,以防止过热损坏
    - 在脉冲宽度不超过400μs、占空比不超过2%的情况下使用,以避免热耗散问题
    - 选择合适的栅极电阻(RG)和栅极电容(CG),以确保稳定的开关行为

    兼容性和支持


    IRFI4227PbF 采用TO-220全包封装,不推荐用于表面贴装。在制造商网站上可以获取最新的封装图样和详细的技术支持信息。Infineon Technologies提供标准的质量保证和售后服务,包括在线技术支持和客户支持服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何控制过热?
    - 解决方案:确保工作环境温度在指定范围内,合理分配散热资源,避免长时间满载运行。

    - 问题:如何提高开关速度?
    - 解决方案:优化电路设计,选择合适的栅极电阻(RG)和栅极电容(CG),降低门极电荷Qg,从而加快开关速度。

    总结和推荐


    IRFI4227PbF 作为一款专门设计用于等离子显示面板的功率MOSFET,具有出色的性能和稳定性。其低导通电阻、高重复峰值电流能力和高可靠性使其在相关应用中表现出色。我们强烈推荐这款产品给需要高性能和稳定性的设计工程师。

IRFI4227PBF参数

参数
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 26A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.6nF@25V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 17A,10V
栅极电荷 110nC@ 10 V
最大功率耗散 46W(Tc)
Vgs-栅源极电压 30V
10.75mm(Max)
4.83mm(Max)
16.13mm(Max)
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFI4227PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFI4227PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFI4227PBF IRFI4227PBF数据手册

IRFI4227PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2+ ¥ 20.4051
50+ ¥ 15.8489
100+ ¥ 13.9626
250+ ¥ 13.6758
1000+ ¥ 13.2669
库存: 1924
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