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IRFH5300TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOSFET 晶体管 + 二极管 HEXFET系列, Vds=30 V, 100 A, PQFN 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 14M-IRFH5300TRPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFH5300TRPBF

IRFH5300TRPBF概述

    IRFH5300PbF MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    IRFH5300PbF 是一款由 Infineon Technologies 生产的高效能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品属于PQFN封装,尺寸为5mm x 6mm,适用于广泛的电子设备和系统。它的主要功能是用于直流到交流转换、电池供电设备的电机逆变器等领域。该产品具有较低的导通电阻(RDS(on))和较高的电流承载能力,使其在高功率应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 基本参数:
    - 最大漏源电压(VDS):30V
    - 标准连续漏极电流(ID):336A (TC = 25°C)
    - 栅极至源极电压(VGS):± 20V
    - 静态导通电阻(RDS(on)):最大值 1.4mΩ (VGS = 10V)
    - 门极电荷(Qg):典型值 50nC (VGS = 10V)
    - 电气特性:
    - 最大脉冲栅极电阻(Rg):1.3Ω
    - 门极总电荷(Qg):典型值 50nC 至 75nC
    - 开启延迟时间(td(on)):26ns
    - 上升时间(tr):30ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):31ns
    - 下降时间(tf):13ns
    - 热特性:
    - 结点到外壳热阻(RθJC(Bottom)):0.5°C/W
    - 结点到环境热阻(RθJA):35°C/W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大值 420mJ
    - 雪崩电流(IAR):最大值 50A

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on) < 1.4mΩ):大大降低了导通损耗,提高了整体效率。
    - 低热阻:到印刷电路板(PCB)的热阻小于 0.5°C/W,有助于更好地散热。
    - 高可靠性:所有产品的门极电阻均经过测试。
    - 紧凑设计:厚度小于 0.9mm,可增加功率密度。
    - 行业标准引脚布局:与现有表面安装技术兼容,易于制造。
    - 环保合规:符合RoHS标准,无铅、无溴、无卤素。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电池驱动的直流电机逆变器:适合在高功率密度应用中使用。
    - 电源开关应用:能够在多种负载条件下保持稳定工作。

    - 使用建议:
    - 在选择工作条件时,考虑额定温度和脉冲限制,确保长期可靠性。
    - 在设计电路时,充分考虑到散热需求,以保证长期稳定的运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与现有的表面安装技术完全兼容,易于集成到现有的系统中。
    - 支持信息:Infineon Technologies 提供详细的应用说明和包装配图,确保用户能够正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:
    - 导通电阻过高:检查是否符合 VGS 电压条件。
    - 发热严重:检查是否安装不当或散热不良。

    - 解决方案:
    - 确保工作电压在指定范围内。
    - 改善散热设计,如增加散热片或改善空气流通。

    7. 总结和推荐


    IRFH5300PbF MOSFET 的主要优点在于其低导通电阻、高可靠性和紧凑设计,使其非常适合高功率应用。推荐在需要高效率和稳定性的应用中使用。总的来说,该产品凭借其出色的性能和广泛的应用范围,是一个值得推荐的高性能 MOSFET。

IRFH5300TRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.2nF@15V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 150µA
通道数量 1
Id-连续漏极电流 40A,100A
栅极电荷 120nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4mΩ@ 50A,10V
最大功率耗散 3.6W(Ta),250W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 5mm*6mm*830μm
通用封装 PQFN-5,PQFN-8,TDSON-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFH5300TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFH5300TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF数据手册

IRFH5300TRPBF封装设计

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30+ ¥ 2.3309
100+ ¥ 2.0611
300+ ¥ 1.9841
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