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IPA90R340C3XKSA2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 35W(Tc) 20V 3.5V@1mA 94nC@ 10 V 1个N沟道 900V 340mΩ@ 9.2A,10V 15A 2.4nF@100V TO-220-3 通孔安装
供应商型号: AV-E-IPA90R340C3XKSA2
供应商: Avnet
标准整包数: 500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA90R340C3XKSA2

IPA90R340C3XKSA2概述

    IPA90R340C3 CoolMOS™ Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPA90R340C3 是一款采用CoolMOS™技术的900V功率晶体管,属于高电压、大电流器件。该产品主要用于准谐振反激/正激拓扑结构,适用于PC银盒和消费类应用,以及工业开关电源(SMPS)。其特点在于低导通电阻(RON)和低栅极电荷(Qg),使其在高效能应用中表现优异。

    技术参数


    以下是IPA90R340C3的主要技术参数及性能指标:
    - 连续漏极电流 (ID):25℃时为15A,100℃时为9.5A。
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):25℃时为34A。
    - 雪崩能量 (EAS):单脉冲情况下为678mJ。
    - 重复雪崩能量 (EAR):在3.1A漏极电流和50V漏源电压下。
    - MOSFET dv/dt鲁棒性:在VDS=0...400V范围内的dv/dt能力。
    - 栅源电压 (VGS):静态条件下±30V,交流条件下±20V。
    - 功率耗散 (Ptot):25℃时为35W。
    - 热阻 (RthJC):3.6K/W。
    - 最高和存储温度 (TJ, Tstg):-55°C至150°C。
    - 最大热阻 (RthJA):62K/W。
    - 栅极到源极漏电 (IGSS):20V栅源电压下为100nA。
    - 零栅压漏电流 (IDSS):25℃时为2µA。
    - 典型导通电阻 (RDS(on)):10V栅源电压和9.2A漏极电流下的典型值为0.34Ω。
    - 输入电容 (CISS):2400pF。
    - 输出电容 (COSS):120pF。
    - 有效输出电容 (CER) 和 (CTR):分别为71pF和280pF。
    - 栅极充电特性:栅极到源极电荷 (QGS) 为11nC,栅极到漏极电荷 (QGD) 为41nC,总栅极电荷 (QG) 为94nC。

    产品特点和优势


    - 最低FOM (RON x Qg):低FOM意味着高效率和低功耗。
    - 极端dv/dt耐受:在高压应用中表现更稳定。
    - 高峰值电流能力:适合需要高瞬态电流的应用。
    - RoHS合规和无铅镀层:符合环保要求,降低对人体的影响。
    - 全球领先的TO220封装:最佳的RDS(on)电阻值。
    - 超低栅极电荷:减少驱动损耗,提高整体效率。

    应用案例和使用建议


    IPA90R340C3 的应用广泛,如在PC银盒和消费类电子产品中作为开关元件,在工业开关电源中实现高效的电源转换。对于工业SMPS应用,IPA90R340C3可以在较宽的工作温度范围内提供稳定的性能。为了最大化其性能,建议使用优质的散热材料,并确保良好的电路布局,以减少寄生电感和电容效应。

    兼容性和支持


    IPA90R340C3 在设计上兼容各种主流的电路板和系统,可以轻松集成到现有设计中。Infineon提供了全面的技术支持和文档资源,包括详细的安装指南、应用笔记和故障排除手册。此外,Infineon还提供了快速响应的客户支持团队,以帮助用户解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的常见问题及其解决办法:
    - 问题:过热导致的性能下降
    - 解决方案:增加散热片或改善冷却系统的性能。

    - 问题:开关频率不稳定
    - 解决方案:检查电路布局,确保栅极走线尽可能短且避免与高电位走线平行。
    - 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:检查是否符合推荐的工作条件,并确认正确的栅极驱动电压。

    总结和推荐


    综上所述,IPA90R340C3是一款高效、可靠且易于集成的CoolMOS™功率晶体管。其卓越的性能、低功耗以及广泛的适用范围,使其成为各种电力转换应用的理想选择。因此,我们强烈推荐该产品用于需要高效率和稳定性的应用场景。如果您正在寻找一个能够满足高性能要求的晶体管解决方案,IPA90R340C3无疑是您的首选。

IPA90R340C3XKSA2参数

参数
栅极电荷 94nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.4nF@100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@1mA
Id-连续漏极电流 15A
Vds-漏源极击穿电压 900V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 340mΩ@ 9.2A,10V
最大功率耗散 35W(Tc)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPA90R340C3XKSA2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA90R340C3XKSA2数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPA90R340C3XKSA2 IPA90R340C3XKSA2数据手册

IPA90R340C3XKSA2封装设计

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