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IRFZ46NLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.8W(Ta),107W(Tc) 20V 4V@ 250µA 72nC@ 10 V 1个N沟道 55V 16.5mΩ@ 28A,10V 53A 1.696nF@25V TO-262 通孔安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: CY-IRFZ46NLPBF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFZ46NLPBF

IRFZ46NLPBF概述

    IRFZ46NS/LPbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFZ46NS/LPbF 是一款由国际整流器公司(International Rectifier)生产的高级HEXFET® 功率MOSFET。这种器件主要用于高电流应用,具有表面贴装(D2PAK)和通孔封装(TO-262)两种形式。IRFZ46NS(表面贴装型)和IRFZ46NL(低轮廓通孔型)均采用了先进的工艺技术,具备极低的导通电阻(RDS(on))和快速开关能力。这类产品适用于各种电力电子应用,如电源转换、电机驱动及照明控制等。

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | RθJC (结到壳热阻) | —— | 1.4 | °C/W |
    | RθJA (结到环境热阻) | —— | 40 | °C/W |
    | ID (连续漏电流, VGS@10V) | 53 | —— | A |
    | IDM (脉冲漏电流) | —— | 180 | A |
    | PD (功率耗散, TA=25°C) | —— | 3.8 | W |
    | VGS (栅极-源极电压) | ±20 | —— | V |
    | IAR (雪崩电流) | —— | 28 | A |
    | EAR (重复雪崩能量) | —— | 11 | mJ |
    | dv/dt (峰值二极管恢复速率) | —— | 5.0 | V/ns |

    产品特点和优势


    IRFZ46NS/LPbF 的主要优势在于其超低的导通电阻(RDS(on)),典型值仅为0.0165Ω,这使得其在高电流应用中表现出色。此外,该器件的快速开关速度和强大的抗雪崩能力使其成为高性能电源管理的理想选择。采用先进的加工技术,其设计紧凑且可靠性极高。

    应用案例和使用建议


    1. 电源转换:该器件可用于AC-DC转换器或DC-DC转换器,提高系统效率。
    2. 电机驱动:由于其高功率处理能力和快速响应,适合用于电动机控制。
    3. 照明控制:用于LED照明系统,可以实现更高效的能量利用。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,确保PCB设计时减少寄生电感,以避免额外的损耗。
    - 使用足够大的散热器或散热片以保证器件温度不超过最高允许温度。


    兼容性和支持


    该产品支持与多种电路和其他元器件的无缝集成。制造商提供了详尽的应用指南和测试电路,有助于设计人员准确理解和利用产品的特性和优势。此外,技术支持服务也是其市场竞争力的重要组成部分。

    常见问题与解决方案


    1. 高温操作时性能下降:
    - 解决方案:增加外部散热措施,例如使用散热器或液冷系统,保持器件在安全的工作温度范围内。
    2. 雪崩模式下故障:
    - 解决方案:检查电路设计,确保雪崩事件不会超过器件的额定值。通过软件或硬件保护机制防止过压。


    总结和推荐


    总体而言,IRFZ46NS/LPbF 是一款高效可靠的功率MOSFET,在多种应用场合中表现优异。其卓越的性能指标、快速的开关能力和良好的稳定性使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐给需要高性能电力电子解决方案的设计者和工程师。

IRFZ46NLPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 53A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.696nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 55V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
栅极电荷 72nC@ 10 V
最大功率耗散 3.8W(Ta),107W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 16.5mΩ@ 28A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-262
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IRFZ46NLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFZ46NLPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF数据手册

IRFZ46NLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.5219 ¥ 4.4912
300+ $ 0.5171 ¥ 4.4507
500+ $ 0.5123 ¥ 4.4103
1000+ $ 0.498 ¥ 4.208
5000+ $ 0.498 ¥ 4.208
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