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IRF8113PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W(Ta) 20V 2.2V@ 250µA 36nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 5.6mΩ@ 17.2A,10V 17.2A 2.91nF@15V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: 1013450
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF8113PBF

IRF8113PBF概述


    产品简介


    IRF8113PbF:HEXFET Power MOSFET
    IRF8113PbF是一款高性能的HEXFET功率MOSFET,广泛应用于笔记本处理器电源管理和网络系统中的隔离式DC-DC转换器同步整流器。这款MOSFET具有非常低的导通电阻(RDS(on)),低栅极电荷,以及全面的雪崩电压和电流特性,确保了其在高功率应用中的可靠性和效率。

    技术参数


    - 电气参数
    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 5.6mΩ (典型值)
    - 总栅极电荷 (Qg): 24nC (典型值)
    - 输入电容 (Ciss): 2910pF
    - 输出电容 (Coss): 600pF
    - 反向传输电容 (Crss): 250pF
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏电流 (ID): 13.3A (25°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 135A
    - 功率耗散 (PD): 17.2W (25°C), 13.8W (70°C)
    - 温度参数
    - 工作结温 (TJ): -55°C至+150°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C至+150°C

    产品特点和优势


    1. 非常低的RDS(on)电阻:在4.5V VGS时,IRF8113PbF具有非常低的导通电阻,使得其在高电流环境下具有更低的损耗。
    2. 低栅极电荷:较低的栅极电荷可以减少开关过程中的能量损失,提高整体效率。
    3. 全面的雪崩电压和电流特性:经过全面测试的雪崩电压和电流特性确保了其在高应力条件下的稳定性和可靠性。
    4. 100%测试的RG:所有产品都经过栅极电阻的100%测试,保证产品的质量一致性。
    5. 无铅:符合环保要求,适用于各种环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本处理器电源管理:用于笔记本电脑中的电源管理模块,实现高效能和稳定的电力供应。
    - 网络系统的隔离式DC-DC转换器:在数据中心和通信设备中,用于隔离式DC-DC转换器的同步整流器,提高转换效率和可靠性。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,需要考虑到栅极电荷的影响,以避免不必要的能量损失。
    - 确保在高电流环境下有足够的散热措施,以防止结温过高导致性能下降或损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF8113PbF符合EIA-481和EIA-541标准,可与多种标准封装的其他电子元器件兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户解决安装和使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极电压不足导致MOSFET无法正常开启。
    - 解决方案:确保栅极电压达到或超过阈值电压(VGS(th))。

    - 问题2:温度过高导致MOSFET过热保护。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇来降低工作结温。

    总结和推荐


    总结:
    IRF8113PbF具备出色的性能和可靠性,非常适用于高电流应用的电源管理和转换。其低导通电阻和低栅极电荷使其成为市场上极具竞争力的产品。
    推荐:
    由于其出色的性能和广泛应用的支持,IRF8113PbF非常值得在高要求的电源管理和转换应用中选用。如果您的应用对效率和可靠性有较高要求,这款MOSFET将是您最佳的选择。

IRF8113PBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 5.6mΩ@ 17.2A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.91nF@15V
栅极电荷 36nC@ 4.5 V
最大功率耗散 2.5W(Ta)
Id-连续漏极电流 17.2A
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 独立式withbuilt-indiode
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
5mm(Max)
4mm(Max)
1.5mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRF8113PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF8113PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF8113PBF IRF8113PBF数据手册

IRF8113PBF封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.1744 ¥ 9.8294
10+ $ 1.0115 ¥ 8.4666
100+ $ 0.7769 ¥ 6.5028
500+ $ 0.6859 ¥ 5.741
1000+ $ 0.5423 ¥ 4.5391
2500+ $ 0.4808 ¥ 4.024
10000+ $ 0.4769 ¥ 3.9918
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起订量: 1 增量: 0
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型号 价格(含增值税)
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