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BSC0910NDI

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W 20V 2V 5nC@ 4.5V @ Q1,23nC@ 4.5V @ Q2 1个N沟道,2个N沟道 25V 4.6mΩ@ 10V @ Q 1,1.2mΩ@ 10V @ Q 2mΩ 40A 1.2nF@ 12V @ Q 1,3.8nF@ 12V @ Q 2 TISON-8-EP 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
供应商型号: CSJ-ST64838547
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC0910NDI

BSC0910NDI概述

    BSC0910NDI 双N通道OptiMOS™ MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    BSC0910NDI 是一款双N通道OptiMOS™ MOSFET,专为高效率的降压转换器设计。它采用逻辑电平(4.5V额定)驱动,具有强大的雪崩耐受能力。产品符合RoHS标准,无铅,且不含卤素,符合IEC61249-2-21标准。此外,BSC0910NDI集成了一个肖特基二极管,有助于提高整体性能。

    2. 技术参数


    - 连续漏极电流: 在TC=70°C,VGS=10V时为40A;在TA=25°C,VGS=4.5V时为16A(Q1),31A(Q2)
    - 脉冲漏极电流: 在TC=70°C时为160A
    - 雪崩能量(单脉冲): Q1为12mJ,Q2为80mJ
    - 门源电压: VGS=±20V
    - 功率耗散: TA=25°C时为2.5W
    - 热阻: Q1的结到壳热阻为4.5K/W,Q2的结到壳热阻为1.5K/W
    - 击穿电压: VDS最大值为25V
    - 漏源导通电阻: 在VGS=10V时,Q1的最大值为4.6mΩ,Q2的最大值为1.2mΩ;在VGS=4.5V时,Q1的最大值为5.9mΩ,Q2的最大值为1.6mΩ
    - 输入电容: Q1为760-1000pF,Q2为3400-4500pF
    - 输出电容: Q1为370-500pF,Q2为1700-2300pF
    - 反向转移电容: Q1为35pF,Q2为150pF
    - 安全操作区: 适用于高达150°C的结温

    3. 产品特点和优势


    - 高性能: BSC0910NDI 针对高效率的降压转换器进行了优化,具有低导通电阻和高电流处理能力。
    - 高可靠性: 经过100%的雪崩测试,确保在极端条件下的可靠运行。
    - 绿色环保: 符合RoHS标准,无铅,且不含卤素,符合环保要求。
    - 集成肖特基二极管: 集成的肖特基二极管提高了整体性能,简化了电路设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 适用于高效率的开关电源,如服务器、通信设备、工业自动化等领域。
    - 使用建议: 在设计时,确保散热良好,特别是对于高负载情况下的使用。建议使用大尺寸铜散热片来帮助散热,以避免因过热导致的性能下降或损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品可与其他符合行业标准的组件和设备兼容,便于系统集成。
    - 支持: 厂商提供详细的技术支持和维护信息,帮助客户快速解决问题并优化设计。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 漏极电流过大导致过热。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如增加散热片面积,使用导热膏等。
    - 问题2: 漏源导通电阻增大。
    - 解决方案: 检查是否有外部干扰,如电磁干扰,必要时采取屏蔽措施。

    7. 总结和推荐


    BSC0910NDI 双N通道OptiMOS™ MOSFET 以其高效率、高可靠性及绿色环保的特点,在降压转换器应用中表现出色。特别适合高负载、高温的应用环境。我们强烈推荐使用此产品以提升系统的性能和稳定性。

BSC0910NDI参数

参数
最大功率耗散 2.5W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@ 12V @ Q 1,3.8nF@ 12V @ Q 2
通道数量 2
FET类型 1个N沟道,2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 25V
栅极电荷 5nC@ 4.5V @ Q1,23nC@ 4.5V @ Q2
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 40A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.6mΩ@ 10V @ Q 1,1.2mΩ@ 10V @ Q 2mΩ
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
配置
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm
通用封装 TISON-8-EP
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

BSC0910NDI厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC0910NDI数据手册

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BSC0910NDI封装设计

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