处理中...

首页  >  产品百科  >  IRL1104SPBF

IRL1104SPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.4W(Ta),167W(Tc) 16V 1V@ 250µA 68nC@ 4.5 V 1个N沟道 40V 8mΩ@ 62A,10V 104A 3.445nF@25V D2PAK 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: ET-8650888
供应商: 海外现货
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRL1104SPBF

IRL1104SPBF概述


    产品简介


    IRL1104SPbF 和 IRL1104LPbF 是来自International Rectifier(IR)公司的HEXFET® 功率MOSFET,属于第五代产品。它们具有先进的工艺技术和多种封装选项,包括表面贴装(IRL1104S)和低轮廓通孔封装(IRL1104L)。这些MOSFET主要用于高压直流电路的开关操作,具有高耐压能力和快速开关性能,适用于各种电力转换应用,如开关电源、马达驱动、汽车电子等。

    技术参数


    - 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
    - 连续漏极电流(VGS @ 10V):@ 25°C 下为 104A,@ 100°C 下为 74A
    - 脉冲漏极电流:最大值为 416A
    - 功率耗散(TA = 25°C):2.4W
    - 线性降额因子:1.1 W/°C
    - 栅极到源极电压:±16V
    - 单脉冲雪崩能量:340mJ
    - 雪崩电流:最大值为 62A
    - 重复雪崩能量:17mJ
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:最大值为 5.0 V/ns
    - 热阻(junction-to-case):0.9°C/W
    - 热阻(junction-to-ambient,PCB安装):40°C/W
    - 门限电压:最小值为 1.0V,最大值未给出

    产品特点和优势


    1. 先进的制造工艺:采用先进的处理技术实现极低的单位硅面积上的导通电阻,提高了整体效率。
    2. 快速开关能力:能够快速响应开关操作,降低了系统功耗。
    3. 全面雪崩保护:设计坚固,可以承受大的瞬态电压冲击。
    4. 无铅封装:符合环保标准,减少有害物质。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRL1104SPbF 和 IRL1104LPbF 广泛应用于工业和消费电子产品中,特别是那些需要高性能和可靠性要求的应用。例如,在开关电源中用于转换电能;在电动汽车的电机控制系统中用于调节电动机速度。
    使用建议
    1. 降低寄生电感:在电路设计中采用低寄生电感的布线策略,有助于提高开关速度和降低功耗。
    2. 散热管理:由于热阻较高,确保有效的散热设计以维持器件的工作温度在安全范围内。
    3. 驱动电路优化:通过优化栅极驱动电路,可以进一步提高开关速度并减少开关损耗。

    兼容性和支持


    这些MOSFET与各种常见的表面贴装技术和低轮廓通孔插件兼容。制造商提供了详尽的文档和技术支持,包括设计指南、安装和焊接技术说明(参考应用注释#AN-994),以及详细的热阻特性图。

    常见问题与解决方案


    - 问题:工作时出现过热现象。
    - 解决办法:检查散热设计是否合理,增加散热片或者优化PCB布局以改善散热效果。

    - 问题:电路工作不稳定。
    - 解决办法:检查门极驱动电压是否足够,确保驱动电路匹配MOSFET的要求。

    总结和推荐


    IRL1104SPbF 和 IRL1104LPbF 是高效的HEXFET功率MOSFET,以其高耐压、快速开关和全面的雪崩保护等特性,使其成为电力转换应用的理想选择。特别适合于需要高性能和高可靠性的场合。建议在设计过程中充分考虑散热和驱动电路优化,以最大化发挥其性能。总体而言,这两款MOSFET是值得推荐的产品。

IRL1104SPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 104A
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.445nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 62A,10V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
栅极电荷 68nC@ 4.5 V
最大功率耗散 2.4W(Ta),167W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 16V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRL1104SPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRL1104SPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRL1104SPBF IRL1104SPBF数据手册

IRL1104SPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336