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IPD046N08N5ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125W(Tc) 20V 3.8V@ 65µA 53nC@ 10 V 1个N沟道 80V 4.6mΩ@ 45A,10V 90A 3.8nF@40V TO-252 贴片安装
供应商型号: CY-IPD046N08N5ATMA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1概述


    产品简介


    IPD046N08N5 N-Channel MOSFET
    IPD046N08N5 是一款基于 OptiMOSTM5 技术的高性能 N-沟道功率 MOSFET。这款产品主要用于高频率开关和同步整流应用。它具有极低的导通电阻(RDS(on)),能够显著提升系统的能效和可靠性。此外,IPD046N08N5 符合 RoHS 和无卤素标准,确保了环保特性。该产品广泛应用于服务器、通信基础设施、工业自动化等领域。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | VDS (漏源电压) | - | 80 | - | V |
    | RDS(on) (最大) | 4.0 | 4.6 | 5.4 | mΩ |
    | ID (持续漏电流) | - | - | 90 | A |
    | VGS(th) (门阈电压)| 2.2 | 3.0 | 3.8 | V |
    | IDSS (零门电压漏电流) | - | 0.1 | 100 | µA |
    | IGSS (门源漏电流) | - | 1 | 100 | nA |
    | Ciss (输入电容) | 2930 | 3800 | - | pF |
    | Coss (输出电容) | 488 | 630 | - | pF |
    | Crss (反向传输电容) | 23 | 40 | - | pF |

    产品特点和优势


    - 出色的门栅电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM):这使得 IPD046N08N5 在高频应用中表现出色。
    - 极低的导通电阻 (RDS(on)):4.6 mΩ 的典型值确保了高效能的工作表现。
    - 高工作温度范围:高达 175°C,适用于严苛的工作环境。
    - 无铅、符合 RoHS 和无卤素标准:满足环保要求。
    - 优异的动态和静态特性:这些特性使得该产品非常适合高频率和大电流的应用场合。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPD046N08N5 适用于服务器电源、通信基础设施、工业自动化等领域。例如,在服务器电源设计中,它可作为高效率的开关组件,降低整体功耗并提高稳定性。
    使用建议
    1. 考虑散热管理:虽然该 MOSFET 具有良好的热阻特性,但在高电流和高频率应用中仍需注意有效的散热措施。
    2. 选择合适的门电阻:根据负载条件调整外部门电阻以优化开关速度和减少功耗。
    3. 避免过压状态:确保工作电压不超过 80V,以防止损坏器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPD046N08N5 采用标准的 D-PAK 封装,便于与其他兼容封装的元件互换使用。
    - 支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速掌握产品使用方法。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高频应用中,门电压波动较大。
    - 解决方案: 调整门电阻值,增加门电容以稳定门电压。

    2. 问题: 导通电阻过高导致功耗增加。
    - 解决方案: 检查电路连接,确保 VGS 超过门阈电压且驱动电压稳定。

    总结和推荐



    总结


    IPD046N08N5 MOSFET 是一款高效能、低功耗的产品,特别适合于高频率和高功率密度的应用场合。其出色的 FOM 特性、低 RDS(on) 和宽工作温度范围使其在市场上具备较强竞争力。
    推荐
    鉴于其优异的技术特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用 IPD046N08N5 MOSFET。只要合理考虑散热和电路设计,它将为系统提供可靠的性能保障。

IPD046N08N5ATMA1参数

参数
栅极电荷 53nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.8nF@40V
Id-连续漏极电流 90A
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 125W(Tc)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V@ 65µA
Rds(On)-漏源导通电阻 4.6mΩ@ 45A,10V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD046N08N5ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD046N08N5ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD046N08N5ATMA1 IPD046N08N5ATMA1数据手册

IPD046N08N5ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.9555 ¥ 8.222
300+ $ 0.9467 ¥ 8.148
500+ $ 0.938 ¥ 8.0739
1000+ $ 0.9117 ¥ 7.7035
5000+ $ 0.9117 ¥ 7.7035
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