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BSZ100N03MS G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.1W 16V 1V 8.3nC@ 4.5V,17nC@ 10V 1个N沟道 30V 9.1mΩ@ 10V 40A 1.3nF@ 15V SON 贴片安装,黏合安装 3.3mm*3.3mm*1.1mm
供应商型号: 726-BSZ100N03MSG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSZ100N03MS G

BSZ100N03MS G参数

参数
栅极电荷 8.3nC@ 4.5V,17nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 2.1W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 16V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.1mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 40A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@ 15V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1.1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSZ100N03MS G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSZ100N03MS G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSZ100N03MS G BSZ100N03MS G数据手册

BSZ100N03MS G封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.828 ¥ 6.9966
10+ $ 0.6429 ¥ 5.4321
100+ $ 0.4598 ¥ 3.8853
500+ $ 0.3542 ¥ 2.9933
1000+ $ 0.2732 ¥ 2.3089
2500+ $ 0.2495 ¥ 2.1081
5000+ $ 0.2322 ¥ 1.9621
10000+ $ 0.2111 ¥ 1.7834
库存: 1872
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 6.99
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