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IPD60R650CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 82W 20V 3.5V 20.5nC@ 10V 600V 650mΩ@ 10V 440pF@ 100V TO-252
供应商型号: IPD60R650CE
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R650CE

IPD60R650CE概述


    产品简介


    600V CoolMOS™ CE Power Transistor
    600V CoolMOS™ CE 是由英飞凌(Infineon Technologies)开发的一种高性能高压功率MOSFET,采用超级结(Super Junction, SJ)技术。这一平台旨在通过最低的传导损耗和开关损耗,实现成本效益最优的应用。CoolMOS™ CE 主要适用于消费电子和照明市场中的成本敏感型应用,同时确保高效能运行。该型号包括 IPD60R650CE 和 IPA60R650CE,其中 IPD60R650CE 采用 PG-TO 252 封装,而 IPA60R650CE 则采用 PG-TO 220 FullPAK 封装。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 | 备注/测试条件 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | 650 | V | VGS=0V, ID=0.25mA |
    | 栅源阈值电压 | 2.5-3.5 | V | VDS=VGS, ID=0.2mA |
    | 零栅压漏电流 µA | VDS=600, VGS=0V, Tj=25°C |
    | 漏源导通电阻 | 0.54-1.4 | Ω | VGS=10V, ID=2.4A, Tj=25°C |
    | 输入电容 | 440 | pF | VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz |
    | 输出电容 | 30 | pF | VGS=0V, VDS=100V, f=1MHz |
    | 栅极总电荷 | 20.5 | nC | VDD=480V, ID=3A, VGS=0-10V |
    | 反向恢复时间 | 250 | ns | VR=400V, IF=3A, diF/dt=100A/µs |
    | 反向恢复电荷 | 2.1 | µC | VR=400V, IF=3A, diF/dt=100A/µs |

    产品特点和优势


    - 低损耗: CoolMOS™ CE 的典型 FOM(RdsonQg)非常低,因此在导通和关断过程中具有极低的损耗。
    - 高耐受性: 能够承受很高的开关冲击,具有极高的耐用性。
    - 易于使用和驱动: 减少了用户的使用难度,降低了设计门槛。
    - 环保材料: 使用无铅电镀和无卤素模塑化合物,符合绿色制造标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 功率因数校正 (PFC) 阶段。
    2. 硬开关 PWM 阶段。
    3. 共振开关阶段,如个人计算机银盒、适配器、LCD和PDP电视及室内照明。
    使用建议:
    - 在并联 MOSFET 时,建议使用铁氧体磁珠在栅极上或者使用单独的推挽电路。
    - 建议在具体设计中考虑散热措施以保持良好的热稳定性。
    - 对于大电流应用,可以使用更宽的 PCB 散热板来提高热管理效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 这些器件可与其他英飞凌公司的高电压 MOSFET 和驱动器配套使用。
    - 支持: 英飞凌提供了丰富的资源,包括在线网页、应用笔记和仿真模型等,便于客户快速上手和开发。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 无法正确读取器件上的标记代码 | 确保读码器正确对准并符合标准 |
    | 温度过高 | 改善散热措施,增加散热片 |
    | 开关速度较慢 | 检查电路布局和栅极驱动设置 |

    总结和推荐



    总结

    :
    CoolMOS™ CE Power Transistor IPD60R650CE 和 IPA60R650CE 在多个方面表现出色,尤其适合在高效率和成本敏感的应用中使用。这些产品具备出色的性能参数和较低的能耗,同时在耐压、可靠性等方面也表现出色。其独特的低损耗和易于使用的特点使其成为许多现代电子设计的理想选择。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐将这些器件用于需要高效率和高可靠性的应用中,如消费电子产品和照明系统。用户在使用时应注意合理的散热设计,并参考英飞凌提供的丰富技术支持文档以优化系统设计。

IPD60R650CE参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 440pF@ 100V
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 20.5nC@ 10V
通道数量 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 82W
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 650mΩ@ 10V
通用封装 TO-252
包装方式 卷带包装

IPD60R650CE厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R650CE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD60R650CE IPD60R650CE数据手册

IPD60R650CE封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.5138
5000+ ¥ 2.373
10000+ ¥ 2.3328
20000+ ¥ 2.2925
库存: 10000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
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型号 价格(含增值税)
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