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IRF530NLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 79W 20V 24.7nC 1个N沟道 100V 90mΩ 17A 920pF@ 25V TO-262-3 通孔安装 10.2mm*4.5mm*9.45mm
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF530NLPBF

IRF530NLPBF概述

    高效的HEXFET® 功率MOSFET:IRF530NSPbF 和 IRF530NLPbF

    产品简介


    HEXFET® 功率 MOSFET 是由 International Rectifier 公司开发的一种先进的功率晶体管,具有极低的导通电阻和快速开关能力。本篇文章将详细介绍型号为 IRF530NSPbF 和 IRF530NLPbF 的产品。这些器件广泛应用于各种电力转换和控制应用中,如开关电源、电机驱动、电池管理和汽车电子系统。通过采用先进的制造工艺,这些 MOSFET 在硅面积上实现了极低的导通电阻,使得它们在高效能应用中表现出色。

    技术参数


    - 静态导通电阻(RDS(on)): 90mΩ @ VGS = 10V, ID = 9.0A
    - 最大漏源电压(VDS): 100V @ VGS = 0V, ID = 250µA
    - 连续漏电流(ID):
    - TC = 25°C 时:17A
    - TC = 100°C 时:12A
    - 脉冲漏电流(IDM): 60A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TA = 25°C 时:3.8W
    - TC = 25°C 时:70W
    - 热阻抗(RθJA): 40°C/W (PCB 安装, 稳态)
    - 结到外壳热阻抗(RθJC): 2.15°C/W
    - 雪崩电流(IAR): 9.0A
    - 重复雪崩能量(EAR): 7.0mJ
    - 二极管恢复 dv/dt: 7.4V/ns
    - 内部源电感(LS):
    - 内部漏电感(LD):
    - 总栅极电荷(Qg): 37nC @ ID = 9.0A
    - 输入电容(Ciss): 920pF @ VGS = 0V
    - 输出电容(Coss): 130pF @ VDS = 25V
    - 反向传输电容(Crss): 19pF @ f = 1.0MHz

    产品特点和优势


    1. 先进工艺技术:采用先进的半导体加工技术,实现极低的导通电阻。
    2. 超低导通电阻:静态导通电阻仅为 90mΩ,确保低损耗和高效率。
    3. 动态 dv/dt 评级:快速开关速度减少损耗,提高效率。
    4. 高工作温度范围:可在 -55°C 到 +175°C 的温度范围内工作。
    5. 快开关:优秀的开关性能,适用于高频应用。
    6. 全雪崩等级:适合高可靠性的应用场合。
    7. 无铅设计:符合环保标准,适用于绿色制造。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 在各种工业和消费电子设备中有着广泛应用。例如,在电机驱动应用中,它们可以提供高效率的电流控制,从而延长电池寿命并提高系统整体性能。在开关电源应用中,这些 MOSFET 可以显著降低开关损耗,提高电源效率。
    使用建议:
    - 当安装在印刷电路板 (PCB) 上时,确保散热良好以维持工作温度低于最大额定值。
    - 在高压大电流应用中,需要特别注意散热设计,避免过热导致的性能下降。
    - 使用前仔细阅读技术手册,了解具体的工作条件和参数限制。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF530NSPbF 和 IRF530NLPbF 具有标准化的封装形式,易于与其他器件和电路板集成。
    - 支持和服务:International Rectifier 提供详尽的技术文档和专业的技术支持服务,帮助客户顺利集成和使用这些 MOSFET。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何计算散热要求?
    - 解决方案:根据公式 PD = RθJA (TJ - TA),确定所需的散热器尺寸和材料。其中,PD 为功耗,RθJA 为热阻抗,TJ 为结温,TA 为环境温度。
    2. 问题:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:确保栅极驱动电压高于阈值电压(VGS(th)),通常为 2.0V 至 4.0V 之间,以保证 MOSFET 的充分导通。

    总结和推荐


    IRF530NSPbF 和 IRF530NLPbF 均为高效的 HEXFET® 功率 MOSFET,适用于多种电力转换和控制应用。其极低的导通电阻和高速度使它们成为需要高效率和高性能应用的理想选择。强烈推荐这些器件用于工业、汽车和其他需要高可靠性和高效能的应用中。同时,International Rectifier 提供的详尽支持和文档能够帮助客户更好地理解和利用这些器件的功能。

IRF530NLPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 920pF@ 25V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ
Id-连续漏极电流 17A
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 79W
栅极电荷 24.7nC
Vds-漏源极击穿电压 100V
长*宽*高 10.2mm*4.5mm*9.45mm
通用封装 TO-262-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级

IRF530NLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF530NLPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF530NLPBF IRF530NLPBF数据手册

IRF530NLPBF封装设计

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