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IPG20N06S4L-26

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 33KW 16V 2.2V 15nC@ 10V 1个N沟道,2个N沟道 60V 26mΩ@ 10V 20A 1.1nF@ 25V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
供应商型号: 26M-IPG20N06S4L-26
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPG20N06S4L-26

IPG20N06S4L-26概述

    IPG20N06S4L-26 OptiMOS™-T2 Power Transistor 技术手册

    产品简介


    IPG20N06S4L-26 是一款双通道增强型 N 沟道逻辑电平 MOSFET,专为高效能电力传输而设计。它适用于多种应用,如电源管理、电机驱动、电池充电系统和汽车电子设备。这款产品已通过 AEC-Q101 车规认证,并具有绿色产品(符合 RoHS 标准)特性,能够承受高达 175°C 的工作温度和 260°C 的峰值回流温度。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 漏极连续电流(单通道) | ID | TC=25°C, VGS=10V | A | 20 |
    | 漏极脉冲电流(单通道) | ID,pulse | - | A | 80 |
    | 雪崩能量(单脉冲) | EAS | ID=10A | mJ | 35 |
    | 雪崩电流(单脉冲) | IAS | - | A | 15 |
    | 栅源电压 | VGS | - | V | ±16 |
    | 功率耗散(单通道) | Ptot | TC=25°C | W | 33 |
    其他技术参数包括:
    - 热阻:结到外壳 RthJC ≤ 4.5 K/W
    - 开启延时时间:td(on) ≤ 5 ns
    - 关断延时时间:td(off) ≤ 18 ns
    - 门源电荷:Qgs = 4.3 ~ 5.6 nC
    - 反向恢复时间:trr ≤ 33 ns

    产品特点和优势


    1. 双重通道设计:具备双通道,可以同时操作两个通道,提高系统的整体效率。
    2. 高可靠性:通过 AEC-Q101 认证,确保产品在极端条件下的可靠性和耐用性。
    3. 高工作温度范围:可承受高达 175°C 的工作温度,适用于高温环境。
    4. 环保合规:符合 RoHS 标准,是绿色环保的产品。

    应用案例和使用建议


    1. 电源管理系统:可用于开关电源、直流转换器等设备中,确保系统的稳定性和效率。
    2. 电机驱动系统:适用于工业控制、机器人等领域,提供高精度的电机控制。
    3. 电池充电系统:用于快速充电系统中,保证高效的能量转换和传输。
    使用建议:
    - 在高电流环境下工作时,应注意散热,确保温度不超过最大值。
    - 使用合适的栅极电阻来优化开关速度和功耗。
    - 确保正确的电路布局以减少寄生效应,提高系统的整体性能。

    兼容性和支持


    IPG20N06S4L-26 与其他主流电子元件具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有的设计中。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何避免过高的漏电流?
    答:选择适当的栅极电阻并确保栅极驱动信号的质量,可以有效降低漏电流。

    2. 问:如何改善热管理?
    答:使用散热片或散热器,并确保良好的空气流通,有助于提高产品的热稳定性。

    3. 问:如何防止电路振荡?
    答:正确设置栅极电阻和栅极电容,确保电路稳定,可以避免不必要的振荡。

    总结和推荐


    IPG20N06S4L-26 OptiMOS™-T2 Power Transistor 是一款高性能的 MOSFET 产品,适用于多种严苛的应用环境。它的高可靠性、广泛的温度范围和环保特性使其在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐用于需要高效能和高稳定性的电力系统设计中。

IPG20N06S4L-26参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道,2个N沟道
配置
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@ 25V
通道数量 2
最大功率耗散 33KW
Vgs-栅源极电压 16V
Id-连续漏极电流 20A
栅极电荷 15nC@ 10V
长*宽*高 5.15mm*590cm*1mm
通用封装 TDSON(EP)
安装方式 支架安装,贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPG20N06S4L-26厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPG20N06S4L-26数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N06S4L-26 IPG20N06S4L-26数据手册

IPG20N06S4L-26封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.152
10+ ¥ 3.95
50+ ¥ 3.84
100+ ¥ 3.74
500+ ¥ 3.63
1000+ ¥ 3.2
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