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IPW65R190C7XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C7系列, Vds=700 V, 13 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2420511
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW65R190C7XKSA1

IPW65R190C7XKSA1概述


    产品简介


    CoolMOS™ C7 系列 MOSFET
    - 产品类型:CoolMOS™ C7 系列是一款采用超级结(Super Junction)原理设计的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于高电压功率应用。
    - 主要功能:CoolMOS™ C7 具备快速开关能力,提供卓越的能效和可靠性,同时降低栅极电荷和冷却要求。
    - 应用领域:广泛应用于PFC(功率因数校正)阶段和硬开关PWM(脉冲宽度调制)阶段,例如在计算、服务器、电信、不间断电源(UPS)及太阳能等领域。

    技术参数


    以下是 CoolMOS™ C7 IPW65R190C7 的主要技术参数:
    | 参数 | 值 | 单位 | 备注 |

    | 最大漏源电压 (VDS) | 700 | V
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 190 | mΩ
    | 栅源电荷 (Qg.typ) | 23 | nC
    | 脉冲漏极电流 (ID,pulse) | 49 | A
    | 输出电容 (Coss) | 17 | pF
    | 反向恢复电荷 (Qrr) | 6.5 | μC
    | 最大瞬态热阻抗 (ZthJC) | 0.05 | K/W

    产品特点和优势


    - 高速开关:减少开关损耗,提高能效。
    - 低RDS(on):具备行业领先的RDS(on)/封装比。
    - 易于驱动:栅极驱动简单,适合多种应用。
    - 环保材料:无铅电镀,卤素自由模塑化合物。
    - 工业认证:符合J-STD-20和JESD-22标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在计算机和服务器电源供应器中作为PFC阶段的核心组件。
    - 用于电信系统中,以提升高频和高密度电源转换效率。
    - 用于太阳能逆变器中,增强系统整体效率和可靠性。
    使用建议
    - 并联使用MOSFET时,建议使用铁氧体磁珠连接到栅极,或者构建独立的上下推挽电路。
    - 保持良好的散热措施,以延长使用寿命并确保系统的稳定运行。

    兼容性和支持


    - 该产品符合工业标准,易于集成到现有系统中。
    - Infineon Technologies 提供丰富的技术文档和仿真模型,如在其官网可获取相关链接。
    - 厂商提供技术支持和维护服务,帮助客户解决问题和优化设计。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 没有找到产品相关的技术文档 | 访问 Infineon Technologies 官网查找最新版的技术手册。 |
    | 遇到过温问题 | 确保合理的散热设计,并根据数据手册选择合适的散热片。 |
    | MOSFET 并联不均流 | 在每个并联的 MOSFET 栅极增加铁氧体磁珠。 |

    总结和推荐


    综上所述,CoolMOS™ C7 IPW65R190C7 MOSFET 具备卓越的性能和广泛的适用性。它通过低RDS(on)和高效率,为多种高压应用提供了可靠的解决方案。此外,易用性、环境友好和工业认证等特点使其成为市场上极具竞争力的产品。对于需要高效率和可靠性的应用,推荐使用此款 MOSFET。
    希望这篇技术手册解析能够为您提供全面的产品信息,如果您有任何疑问或需要进一步的帮助,请随时联系 Infineon Technologies 获取更多支持。

IPW65R190C7XKSA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 23nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.15nF@400V
Id-连续漏极电流 13A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 5.7A,10V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 290µA
最大功率耗散 72W(Tc)
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.1mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IPW65R190C7XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW65R190C7XKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R190C7XKSA1 IPW65R190C7XKSA1数据手册

IPW65R190C7XKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 18.0111
10+ ¥ 15.5173
100+ ¥ 15.2402
500+ ¥ 14.9631
1000+ ¥ 14.9631
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