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IPD530N15N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=150 V, 21 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPD530N15N3GATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD530N15N3GATMA1

IPD530N15N3GATMA1概述


    产品简介


    IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G 是由Infineon Technologies AG生产的OptiMOSTM3功率晶体管,属于N沟道增强型MOSFET。这种晶体管以其出色的门极电荷与导通电阻(FOM)积、超低导通电阻(R DS(on))以及高工作温度(高达175°C)等特点著称。它们广泛应用于高频开关电路和同步整流应用中,适用于各种工业和消费电子产品。

    技术参数


    - 基本参数
    - 连续漏极电流:21 A
    - 脉冲漏极电流:84 A
    - 漏源击穿电压:150 V
    - 最大导通电阻:53 mΩ
    - 最大栅源电压:±20 V
    - 门限电压范围:2 V至4 V
    - 工作环境温度:-55°C至175°C
    - 热阻抗:2.2 K/W(结到外壳)
    - 电气特性
    - 输入电容(C iss):667 pF 至 887 pF
    - 输出电容(C oss):80 pF 至 106 pF
    - 反向传输电容(C rss):3.4 pF
    - 开启延迟时间(t d(on)):9 ns
    - 关闭延迟时间(t d(off)):13 ns
    - 门至源电荷(Q gs):3.8 nC
    - 门至漏电荷(Q gd):1.5 nC
    - 开关电荷(Q sw):3.3 nC
    - 门总电荷(Q g):8.7 nC 至 12 nC
    - 输出电荷(Q oss):22 nC 至 29 nC
    - 反向恢复时间(t rr):80 ns
    - 反向恢复电荷(Q rr):229 nC

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻:IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G 的最大导通电阻仅为53 mΩ,使得它在高频应用中表现出色。
    - 高频率响应:优秀的门极电荷与导通电阻积(FOM),使得该晶体管非常适合用于高频开关应用。
    - 高温耐受能力:最高可承受175°C的工作温度,适用于严苛的环境条件。
    - 绿色环保:采用无铅镀层,符合RoHS标准及无卤素要求。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 高频开关:可用于AC/DC转换器、逆变器和其他需要高频切换的应用。
    - 同步整流:适用于电源模块中,提供高效能的整流。
    使用建议
    - 散热设计:由于高工作温度要求,需注意良好的散热设计,确保器件能在安全范围内工作。
    - 驱动电路:建议使用专门的驱动IC来优化栅极驱动,以提高开关速度和效率。
    - 布线布局:PCB布局时要确保良好的去耦电容和地线设计,减少寄生效应。

    兼容性和支持


    该产品采用多种封装形式(如PG-TO263-3、PG-TO252-3等),适用于不同应用场景的集成需求。Infineon Technologies AG提供详尽的技术支持文档和售后服务,帮助客户快速解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解答:根据应用需求,选择在10V至20V之间的栅极驱动电压,确保MOSFET能够有效开关而不会过热。
    - 问题2:出现过温保护现象怎么办?
    - 解答:检查散热系统是否正常工作,确认散热片接触良好;同时检查是否有过大的瞬态电流导致温度异常升高。
    - 问题3:反向恢复时间过长影响电路性能怎么办?
    - 解答:更换具有更短反向恢复时间的肖特基二极管或快恢复二极管作为替代方案,以提高整体电路的响应速度。

    总结和推荐


    总体来看,IPB530N15N3 G IPD530N15N3 G IPI530N15N3 G IPP530N15N3 G 作为一种高性能的N沟道增强型MOSFET,具备出色的导通性能和可靠性,在高频开关和同步整流领域有着广泛的应用前景。建议在需要高效能、高可靠性的应用中优先考虑选用该系列MOSFET。

IPD530N15N3GATMA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 150V
Rds(On)-漏源导通电阻 53mΩ@ 18A,10V
Id-连续漏极电流 21A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 35µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 887pF@75V
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
最大功率耗散 68W(Tc)
栅极电荷 12nC@ 10 V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD530N15N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD530N15N3GATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD530N15N3GATMA1 IPD530N15N3GATMA1数据手册

IPD530N15N3GATMA1封装设计

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10000+ ¥ 2.596
15000+ ¥ 2.53
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