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IPA057N08N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 39W(Tc) 20V 3.5V@ 90µA 69nC@ 10 V 1个N沟道 80V 5.7mΩ@ 60A,10V 4.75nF@40V TO-220FP-3 通孔安装 10.65mm*4.85mm*16.15mm
供应商型号: IPA057N08N3 G
供应商: 国内现货
标准整包数: 500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA057N08N3 G

IPA057N08N3 G概述

    IPA057N08N3 G MOSFET 技术手册详解

    1. 产品简介


    IPA057N08N3 G 是一款由 Infineon Technologies 制造的 OptiMOS™3 功率晶体管,属于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)类别。这款 MOSFET 主要应用于高频开关和同步整流,特别适用于直流/直流转换器中。此外,它还具有良好的栅极电荷与漏源导通电阻乘积(FOM),这使得它成为一种高效能的功率管理组件。

    2. 技术参数


    IPA057N08N3 G 的技术规格如下:
    - 漏极连续电流:60A(Tc=25°C),43A(Tc=100°C)
    - 脉冲漏极电流:240A
    - 突发雪崩能量:290mJ(ID=60A, RGS=25Ω)
    - 栅源电压:±20V
    - 最大功率损耗:39W(Tc=25°C)
    - 工作温度范围:-55°C至175°C
    此外,该 MOSFET 具备优良的热阻特性(RthJC=3.8K/W),并且已经通过了无铅镀层处理和RoHS认证,符合卤素自由标准(IEC61249-2-21)。它还具备全隔离封装(2500VAC,1分钟),能够有效保护内部电路免受高电压冲击。

    3. 产品特点和优势


    IPA057N08N3 G 的关键特点和优势包括:
    - 高频率开关和同步整流的理想选择
    - 优化的直流/直流转换器技术
    - 出色的栅极电荷与漏源导通电阻乘积(FOM)
    - 100% 冲击试验通过,确保可靠性能
    - 铅无镀层及符合RoHS标准
    这些特性使其在市场上具有显著的竞争力,尤其适合于需要高性能和高可靠性电源管理的应用场合。

    4. 应用案例和使用建议


    IPA057N08N3 G MOSFET 可广泛应用于各种高功率应用中,如服务器电源、工业自动化设备、电动汽车充电系统等。例如,在服务器电源中,它可以帮助提高电源转换效率并降低能耗;在工业自动化设备中,它可以提供可靠的电力供应,确保系统的稳定运行。
    使用建议:
    - 在选择外部驱动电阻时,应考虑栅极电荷参数(Qg)以获得最佳性能。
    - 需要注意保持适当的散热条件,特别是在高负载条件下,以避免过热问题。
    - 在实际应用中,应遵循推荐的工作温度范围和最大功率损耗限制,以确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    IPA057N08N3 G MOSFET 支持多种电子设备和系统,与现有电源管理方案兼容性良好。Infineon Technologies 提供全面的技术支持和服务,包括详细的技术文档、用户指南和应用实例,以帮助客户更好地利用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定正确的外部驱动电阻?
    解决方案:参考手册中的栅极电荷参数(Qg),选择合适的外部驱动电阻以实现最佳开关性能。
    - 问题2:过热如何影响产品寿命?
    解决方案:保持适当的散热措施,避免过热,如增加散热片或采用强制风冷。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPA057N08N3 G MOSFET 是一款具备优异性能和广泛应用前景的高效能功率管理组件。它的出色技术和可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。我们强烈推荐将其用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。
    如果您对本文有任何疑问或建议,请发送邮件至 erratum@infineon.com。我们将不断努力改进文档质量,以更好地满足您的需求。

IPA057N08N3 G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.75nF@40V
栅极电荷 69nC@ 10 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 5.7mΩ@ 60A,10V
Vds-漏源极击穿电压 80V
最大功率耗散 39W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 90µA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Id-连续漏极电流 -
长*宽*高 10.65mm*4.85mm*16.15mm
通用封装 TO-220FP-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPA057N08N3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA057N08N3 G数据手册

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IPA057N08N3 G封装设计

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