处理中...

首页  >  产品百科  >  IPD14N06S280ATMA2

IPD14N06S280ATMA2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS系列, Vds=55 V, 17 A, TO-252封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 3227636
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD14N06S280ATMA2

IPD14N06S280ATMA2概述

    IPD14N06S2-80 OptiMOS® Power-Transistor

    1. 产品简介


    IPD14N06S2-80是一款由Infineon Technologies开发的N沟道增强型场效应晶体管(Power-Transistor)。它被广泛应用于各种电力电子系统中,特别是在汽车电子、工业自动化和电源管理等领域。其独特的设计使其在高功率和高频应用中表现出色,成为市场上备受推崇的产品之一。

    2. 技术参数


    以下是该产品的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 连续漏极电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | A | - | 17 | - |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | A | - | 68 | - |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | V | - | 55 | - |
    | 零栅极电压漏极电流 | IDSS | VDS=55V, VGS=0V | A | - | 0.01 | 1 |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=7A | mΩ | - | 50.0 | 80.0 |
    | 热阻 | RthJC | - | K/W | - | 3.2 | - |
    | 热阻(接合-环境) | RthJA | - | K/W | - | 100 | - |
    | 工作温度范围 | Tj, Tstg | -55...+175°C | °C | - | - | - |

    3. 产品特点和优势


    - 超低RDS(on):典型值为50.0 mΩ,极大地降低了功耗。
    - 汽车级认证:符合AEC-Q101标准,适合在严苛环境中使用。
    - 宽工作温度范围:从-55°C到+175°C,适应多种恶劣环境条件。
    - 100%雪崩测试:确保在极端条件下的可靠性。
    - 环保包装:无铅封装,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于电动汽车、混合动力汽车的电机驱动系统、工业变频器和电源转换设备中。在实际应用中,建议进行充分的热设计以确保最佳性能和寿命。例如,在PCB设计时,确保有足够的铜面积来散热,同时避免热点。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与各种标准电源管理和驱动电路高度兼容。
    - 支持:Infineon提供详尽的技术文档和应用指南,支持全球客户。技术支持团队可在客户需要时提供帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:最大允许的工作温度是多少?
    A:最大允许的工作温度是175°C。
    - Q:如何选择合适的驱动电阻以减少开关损耗?
    A:推荐使用39Ω的驱动电阻。这可以在保证快速开关的同时减少不必要的功率损耗。
    - Q:当温度超过100°C时,漏极电流是否会受到限制?
    A:是的,温度升高会导致漏极电流减小。根据图表,当温度达到100°C时,漏极电流降为12A。

    7. 总结和推荐


    IPD14N06S2-80 OptiMOS® Power-Transistor凭借其卓越的性能、高可靠性及广泛的应用范围,在市场中具有显著的竞争优势。特别适合于需要高效能和稳定性的电力电子应用场合。我们强烈推荐使用该产品,尤其是在高性能需求的应用场景中。

IPD14N06S280ATMA2参数

参数
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 80mΩ@ 7A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 17A
Vds-漏源极击穿电压 55V
配置 独立式
最大功率耗散 47W(Tc)
栅极电荷 10nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 293pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 14µA
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPD14N06S280ATMA2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD14N06S280ATMA2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD14N06S280ATMA2 IPD14N06S280ATMA2数据手册

IPD14N06S280ATMA2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.1831
10+ ¥ 2.4114
100+ ¥ 2.1606
500+ ¥ 2.1606
1000+ ¥ 2.1221
5000+ ¥ 2.1221
库存: 2250
起订量: 21 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 24.11
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336