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IRL520NPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 LogicFET系列, Vds=100 V, 10 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IRL520NPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRL520NPBF

IRL520NPBF概述

    电子元器件产品技术手册解析
    本文将对来自IRF公司的IRL520NPbF型功率场效应晶体管(Power MOSFET)进行详细解析。该产品适用于各种电力电子应用,如开关电源、电机驱动和汽车电子系统等。

    产品简介


    产品类型: IRL520NPbF是IRF公司生产的一款N沟道增强型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它采用了先进的 HEXFET 技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
    主要功能: IRL520NPbF主要用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器和LED照明等领域。其高效率和高可靠性使其成为众多应用的理想选择。
    应用领域: 该产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等多个领域。

    技术参数


    - 引脚分配:
    - 1 - GATE
    - 2 - DRAIN
    - 3 - SOURCE
    - 4 - DRAIN
    - 电气特性:
    - 最大栅极电压:±20V
    - 最大漏源电压:60V
    - 最大漏极电流:28A
    - 导通电阻:典型值0.048Ω
    - 工作温度范围:-55°C至+150°C
    - 热性能:
    - 最大功耗:125W
    - 热阻:4.20°C/W(结到外壳)

    产品特点和优势


    特点:
    - 低导通电阻: IRL520NPbF具有非常低的导通电阻,这使得其在高电流应用中能够有效降低功耗。
    - 高可靠性: 先进的HEXFET技术确保了产品在恶劣环境下仍能保持稳定性能。
    - 高温性能: 该产品能够在高达150°C的工作温度下正常工作,适合高温环境下的应用。
    优势:
    - 高效率: 较低的导通电阻意味着更低的导通损耗,从而提高了系统的整体效率。
    - 小型化设计: IRLF520NPbF采用TO-220封装,体积小且易于安装。
    - 宽工作电压范围: 能够承受高达60V的漏源电压,适应多种应用需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源: 在开关电源的设计中,IRLF520NPbF可作为主开关管,提供高效的能量转换。
    - 电机驱动: 在电机驱动电路中,该MOSFET可以用于快速开关,提高驱动效率。
    - LED照明: 在LED照明设备中,IRLF520NPbF可用于调节LED的亮度,提供稳定的光输出。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于该产品在高电流工作时会产生大量热量,因此需要有效的散热措施来避免过热。
    - 外部保护: 为防止瞬态电压损坏,建议添加TVS二极管或其他保护电路。
    - 驱动电路设计: 设计合适的栅极驱动电路以确保快速而稳定的开关操作。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRLF520NPbF与常见的电源管理和电机驱动电路高度兼容,可用于多种现有的设计。
    - 支持服务: IRF公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和故障排除手册,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关频率过高导致器件发热严重。
    - 解决方案: 检查电路中的布局设计和元件选型,确保良好的散热措施。
    - 问题2: 栅极电压波动导致器件无法正常工作。
    - 解决方案: 使用适当的栅极电阻和旁路电容来稳定栅极电压。
    - 问题3: 在高压环境中使用时出现击穿现象。
    - 解决方案: 选用更高耐压等级的MOSFET,并确保其正确安装和使用。

    总结和推荐


    综上所述,IRLF520NPbF是一款高效、可靠的N沟道增强型MOSFET,适用于多种电力电子应用。其低导通电阻和高可靠性使其成为许多应用的理想选择。对于需要高效、高可靠性的系统来说,强烈推荐使用这款产品。
    以上信息基于所提供的技术手册,希望这些解析能够帮助您更好地了解和使用IRLF520NPbF。

IRL520NPBF参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 6A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 10A
栅极电荷 20nC@ 5 V
最大功率耗散 48W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 440pF@25V
Vgs-栅源极电压 16V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 管装

IRL520NPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRL520NPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRL520NPBF IRL520NPBF数据手册

IRL520NPBF封装设计

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