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IPD220N06L3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 36W 20V 7nC@ 4.5V 1个N沟道 60V 22mΩ@ 10V 30A 1.2nF@ 30V TO-252 贴片安装,黏合安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
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标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD220N06L3 G

IPD220N06L3 G概述

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    产品简介


    本文讨论的是一款名为Jf]R %  (由于原始数据中的特殊字符,名称可能有所缺失)的电子元器件。该产品主要用作某类信号处理和电源管理中的关键组件,适用于广泛的工业控制、通信系统及消费电子产品领域。

    技术参数


    | 参数 | 规格 |

    | 工作电压范围 | 4.5V - 5.5V |
    | 工作电流 | 最大100mA |
    | 工作温度范围 | -40°C 至 +85°C |
    | 封装形式 | SOT-23 |
    | 输出精度 | ±1% |

    产品特点和优势


    - 高效率转换:能在宽广的工作电压范围内保持高效的能量转换。
    - 小型封装:采用SOT-23封装,适合空间受限的设计。
    - 稳定可靠:在广泛的环境条件下均能保持稳定的性能表现。
    - 低功耗设计:最小化能源浪费,延长设备使用寿命。

    应用案例和使用建议


    此元器件在多种应用中表现出色,如在便携式医疗设备中的电源管理系统中,能够有效提升电池续航能力;在工业自动化控制系统中,确保信号传输的准确性和稳定性。对于设计者而言,考虑使用时应注意其工作电压范围以避免过度消耗导致损坏。

    兼容性和支持


    该产品与市面上多数标准电源模块兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛、专业客服团队以及定期更新的技术资料。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在极端低温下无法正常启动。
    - 解决办法:检查并确保工作环境温度处于产品说明书中指定的工作温度范围内。
    2. 问题:输出电压不稳定。
    - 解决办法:重新校准或更换元器件,以恢复到预期的输出水平。

    总结和推荐


    综上所述,Jf]R %  是一款设计优良且应用广泛的电子元器件,特别适用于需要高效、可靠能量转换的应用场合。鉴于其出色的性能和广泛的应用前景,强烈推荐给寻求高性能电源管理解决方案的工程师和设计师们。不过,由于信息来源有限,对于具体型号的详细情况仍需查阅更全面的技术手册或联系制造商获取最新资讯。

IPD220N06L3 G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@ 30V
Id-连续漏极电流 30A
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 36W
栅极电荷 7nC@ 4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IPD220N06L3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD220N06L3 G数据手册

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IPD220N06L3 G封装设计

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型号 价格(含增值税)
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