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IPW80R360P7XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管 800V CoolMOS™ P7系列, Vds=800 V, 13 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2771345
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW80R360P7XKSA1

IPW80R360P7XKSA1概述


    产品简介


    IPW80R360P7 MOSFET
    IPW80R360P7 是一种由 Infineon Technologies 生产的高性能 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 CoolMOS™ P7 系列设计。这款 MOSFET 在 800V 的超级结技术方面树立了新的标杆,结合了业内顶尖的性能和易于使用的特性,体现了 Infineon 近 18 年来在超级结技术方面的创新。
    主要功能
    - 超低的导通电阻 \( R{DS(on)} \)
    - 高速开关性能
    - 出色的反向恢复特性
    - 集成的稳压二极管 ESD 保护
    应用领域
    - LED 照明
    - 低功率充电器和适配器
    - 音频设备
    - 辅助电源
    - 工业电源
    - 消费类应用中的功率因数校正 (PFC) 阶段
    - 太阳能应用

    技术参数


    以下是 IPW80R360P7 的关键性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VDS(漏源电压) | 800 | V |
    | 最大 RDS(on) | 0.36 | Ω |
    | 典型 Qg | 30 | nC |
    | 最大连续漏极电流 | 13 | A |
    | EOSS(输出存储能量)| 3.2 | μJ |
    | 典型 VGS(th) | 3 | V |
    | ESD 类别(HBM) | 2 | - |

    产品特点和优势


    优势:
    - 业内领先的性能: 优秀的 FOM(RDS(on) Eoss)和 Qg,低功耗和高效率。
    - 提高功率密度: 设计成本更低,减少组装成本。
    - 易于驱动和并联: 提高生产良率,减少 ESD 相关故障。
    - 生产问题少,返修率低: 方便选择合适的零件以优化设计。
    - 最佳的性能: 结合易用性,实现高效能设计。

    应用案例和使用建议


    IPW80R360P7 MOSFET 适用于多种应用场景,如 LED 照明、低功率充电器、音频设备和工业电源。对于并联 MOSFET 使用时,建议使用扼流圈或单独的推挽结构,以避免潜在的干扰。
    使用建议:
    - 在使用多个 MOSFET 并联时,确保使用适当的栅极电阻或单独的推挽结构。
    - 在选择和设计时,考虑散热管理以保持最佳性能。

    兼容性和支持


    IPW80R360P7 支持标准 TO-247 封装,可与其他兼容的 TO-247 封装组件集成。Infineon 提供详细的技术文档和在线支持工具,帮助客户解决安装和使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题: ESD 保护失效。
    - 解决方案: 确保正确连接外部 ESD 保护电路,例如使用钳位二极管。

    - 问题: 导通电阻异常高。
    - 解决方案: 检查焊接质量,确保引脚连接良好,并重新检查安装环境温度。

    总结和推荐



    总结

    :
    - 主要优点:
    - 出色的性能和易用性
    - 低功耗和高效率
    - 易于驱动和并联
    - 高可靠性和稳定性
    推荐:
    - IPW80R360P7 MOSFET 是一款高度可靠的组件,适合广泛的应用领域。对于需要高性能、高可靠性的电源管理和转换系统,强烈推荐使用该产品。

IPW80R360P7XKSA1参数

参数
栅极电荷 30nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 5.6A,10V
Id-连续漏极电流 13A
最大功率耗散 84W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 280µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 930pF@500V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 800V
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,管装

IPW80R360P7XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW80R360P7XKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW80R360P7XKSA1 IPW80R360P7XKSA1数据手册

IPW80R360P7XKSA1封装设计

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1+ ¥ 15.2489
10+ ¥ 11.5397
100+ ¥ 11.3337
500+ ¥ 11.1276
1000+ ¥ 11.1276
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