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IRL3103STRLPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 94W(Tc) 16V 1V@ 250µA 33nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 12mΩ@ 34A,10V 64A 1.65nF@25V D2PAK 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: CY-IRL3103STRLPBF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRL3103STRLPBF

IRL3103STRLPBF概述

    IRL3103S/LPbF HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRL3103S/LPbF 是由国际整流器公司(International Rectifier)生产的高性能功率 MOSFET。它采用先进的工艺技术,以极低的导通电阻实现了卓越的性能。这种 MOSFET 主要应用于高电流电路中,如开关电源、电机驱动、LED 驱动等领域。它具有高速开关、全雪崩额定值和无铅等特点,非常适合现代电子设备的应用需求。

    技术参数


    - 热阻:
    - 结至外壳热阻:1.6°C/W
    - 结至环境热阻(PCB 安装):40°C/W
    - 最大绝对额定值:
    - 连续漏极电流(TC = 25°C):64A
    - 连续漏极电流(TC = 100°C):45A
    - 脉冲漏极电流:220A
    - 最大功率耗散(TC = 25°C):94W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压:30V
    - 源极连续电流:64A
    - 开关频率下的反向恢复时间:57-86ns
    - 反向恢复电荷:110-170nC
    - 总栅极电荷:33nC
    - 峰值二极管恢复 dv/dt:≤ 5.0 V/ns
    - 其他参数:
    - 门限电压:1.0V
    - 正向跨导:22S
    - 通道内部电感:7.5nH
    - 漏极内部电感:4.5nH

    产品特点和优势


    IRL3103S/LPbF 具有多种显著的特点和优势:
    - 先进的工艺技术:利用先进的加工技术,实现每平方厘米硅面积的超低导通电阻。
    - 表面贴装 (Surface Mount):适用于各种高电流应用,能够承受高达 2.0W 的功率耗散。
    - 低轮廓插孔版本:适用于需要低外形设计的应用。
    - 宽温度范围:可承受 -55°C 至 +175°C 的操作温度。
    - 快速开关:提供快速的开关速度,提高系统效率。
    - 全雪崩额定值:确保在高能量条件下仍能安全运行。
    - 无铅设计:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    IRL3103S/LPbF 广泛应用于高电流电力电子设备中,例如开关电源、直流到交流转换器和电机驱动器。以下是几条使用建议:
    - 低寄生电感布局:确保 PCB 设计中寄生电感最小化,以减少开关过程中的损耗。
    - 接地平面设计:合理设计接地平面以减小接地引线中的电感效应。
    - 电路保护:根据应用场景选择合适的驱动器和保护电路,以防止过载和短路情况。

    兼容性和支持


    IRL3103S/LPbF 兼容大多数标准表面贴装设备(SMD),易于集成到现有电路板中。国际整流器公司为该产品提供了详尽的技术支持文档和用户指南,方便用户进行应用开发和故障排查。此外,还提供在线技术支持和培训课程,帮助客户更好地理解和使用这款 MOSFET。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高温环境下工作时,MOSFET 的温度会迅速上升,影响性能。
    - 解决方案: 使用更大的散热片或者改进散热路径,以降低工作温度。

    - 问题: 在高频开关应用中,可能会出现开关损耗增加的问题。
    - 解决方案: 选用低电感和低电容的外部电路组件,以减少寄生效应。

    总结和推荐


    综上所述,IRL3103S/LPbF HEXFET® 功率 MOSFET 是一款高效可靠的电子元件,适合用于各种高电流电力电子应用。其卓越的导通电阻、快速开关特性和宽温度范围使其在市场上具有很强的竞争力。因此,我强烈推荐此款产品给所有寻求高性能 MOSFET 的工程师和设计师们。
    更多详细信息和技术资料请访问国际整流器公司的官方网站 [www.irf.com](http://www.irf.com)。

IRL3103STRLPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.65nF@25V
最大功率耗散 94W(Tc)
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 64A
Vgs-栅源极电压 16V
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 34A,10V
栅极电荷 33nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

IRL3103STRLPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRL3103STRLPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF数据手册

IRL3103STRLPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4115 ¥ 3.5413
300+ $ 0.4078 ¥ 3.5094
500+ $ 0.404 ¥ 3.4774
1000+ $ 0.3927 ¥ 3.3179
5000+ $ 0.3927 ¥ 3.3179
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